[發明專利]一種離子注入加速裝置

在審

• 申請號: 201410645015.3
• 申請日: 2014-11-07
• 公開（公告）號: CN105655218A
• 公開（公告）日: 2016-06-08
• 發明（設計）人: 劉艷
• 申請（專利權）人: 北京中科信電子裝備有限公司
• 主分類號: H01J37/317
• 分類號: H01J37/317;H01J37/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種半導體器件制造控制系統，即注入機，特別地，涉及一種用于離子注入機加速裝置。

背景技術

與常規的半導體工藝曝光、刻蝕、離子注入、氧化、鍍膜等相比，離子注入克服了常規工藝的限制，提高了電路的集成度、速度、成品率和壽命，降低了成本和功耗。離子束的能量和束流是影響離子注入好壞的關鍵工藝之一。不同于主流離子注入機的結構和控制系統繁冗，制造裝配不易，本發明離子注入加速裝置結構簡潔，操作方便，易于安裝維護，適合目前我國離子注入機的結構。

發明內容

本發明公開了一種離子注入加速裝置，主要用于對離子束的加速聚焦；離子注入加速裝置為多電極加速結構，在高壓電極之前設置入口光欄，防止濺射產生二次電子污染離子束，高壓電極和地電極之間設計中間電極，實現多電極加速聚焦；運用新型工程材料制成的絕緣環可以提高多電極加速裝置的抗污染和絕緣性能；最外層的均壓裝置為離子注入加速裝置提供均勻的電場，且可以防止高壓放電發生；加速抑制電極在低壓電極之后，主要抑制二次電子，減少加速模式下的X射線。

本發明通過以下技術方案實現：

1.一種離子注入加速裝置，包括：入口裝置(1)、加速模塊(2)、絕緣環(5)、均壓模塊(3)、抑制模塊(7)，其特征在于：離子束通過入口裝置防止濺射發生；進入均壓模塊(3)和絕緣環(5)的均勻無污染的電場，通過加速模塊(2)實現加速聚焦；最后進入抑制電極濾除一部分二次電子，減少加速模式下的X射線。

本發明具有如下顯著優點：

1.結合分級加速的原理，實現了多電級的均勻電場加速聚焦離子束。

2.結構設計簡潔，易拆裝。

附圖說明

圖1離子注入加速裝置總結構圖

圖2離子注入加速裝置原理圖

圖3離子注入加速裝置三維結構圖1

圖4離子注入加速裝置三維結構圖2

具體實施方式

下面結合附圖1、附圖2、圖3、圖4對本發明作進一步的介紹，但不作為對本發明的限定。

參見圖1、圖2、圖3、圖4，一種離子注入裝置由五部分組成，入口裝置(1)、加速模塊(2)、絕緣環(5)、均壓模塊(3)、抑制模塊(7)。其中入口裝置(1)包括：入口光欄、高壓連接筒、高壓法蘭，其作用在于防止濺射產生二次電子污染離子束。

在該實施方式中，加速模塊(2)包括：高壓電極、中間電極(共3個)、低壓電極，其特征在于五個電極之間形成均勻的等梯度加速電場，實現離子束的平穩加速聚焦。

在該實施方式中，絕緣環(5)提高離子注入加速裝置的抗污染和絕緣性能。

在該實施方式中，均壓模塊(3)包括：電阻、球型螺釘、均壓環，它為離子注入加速裝置提供均勻的電場，同時可以防止高壓放電發生。

在該實施方式中，抑制模塊(7)包括：抑制電極、抑制固定環、低壓法蘭，其作用主要是抑制二次電子，減少加速模式下的X射線。

本發明專利的特定實施例已對本發明專利的內容做了詳盡說明。