[發(fā)明專利]一種紅色LED芯片制程工藝中的電極制作方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201410644761.0
• 申請日: 2014-11-14
• 公開（公告）號: CN104409597A
• 公開（公告）日: 2015-03-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 沈智廣
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫科思電子科技有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/00
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 許方

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于LED芯片生產(chǎn)領(lǐng)域，具體涉及一種紅色LED芯片制程工藝中的電極制作方法。

背景技術(shù)

任何半導(dǎo)體器件最終都要通過電極引線和外部電路相連，金屬一半導(dǎo)體界面的性質(zhì)對整個器件的性能有很大影響，對于GaN基發(fā)光二極管也不例外。金屬一半導(dǎo)體界面接觸部分的電流一電壓降呈線性關(guān)系，相當于一個阻值很小的電阻（也稱為歐姆接觸電阻）。

由于界面沒有勢壘，接觸部分的電壓降與器件內(nèi)部的電壓降相比可以忽路口如果歐姆接觸電阻太大，那么將使LED器件的正向工作電壓Vf增大、注入效率降低，并且器件發(fā)熱、亮度下降、壽命縮短。所以LED芯片的pn結(jié)電極的質(zhì)量直接影響LED器件的質(zhì)量。

?pn結(jié)電極的制作工藝一般采用光刻、真空電子束蒸發(fā)、濕法腐蝕和剝離等方法。當前普遍采用的p型接觸電根是鎳／銅(?Ni/Au)，可以使電極具有良好的透光性和電學(xué)性能。在LED芯片的制作工藝中，為了盡量減少電極之問的相互影響，需要對n型電極進行合金。然面在n型電極的合金過程中也會對p型接觸電橄產(chǎn)生影響，所以電撇舒芯在氨氣中進行合金時能使p型接觸?電擻的性能維持不變足很重要的。

LED的L-V特性與I-P特性????電極位置的不同對LED的I-V（電流一電壓）特性也會產(chǎn)生影響。p型焊線電極遠離n型電極的芯片在20?mA電流下的光輸出功率高，其正向壓降較大。在大電流下，p型焊線電極遠離n型電極的芯片很容易飽和，這時若芯片尺寸較大則其大電流性能要好一些。因此在選擇芯片將其封裝成LED時，要注意芯片兩極的位置。應(yīng)盡量做到在同一批芯片中，避免有不同的電極結(jié)構(gòu)，繼而防止工作時出現(xiàn)不同的I-P特性，結(jié)果選成LED的性能不一致。

相對于V型接觸電極在大電流情況下的工作效果，L型接觸電極的芯片的I-P特性較好，而且導(dǎo)熱也非常好。這種芯片在封裝時只需要焊接一根線，因此其抗靜電能力好、光輸出效率高。

申請?zhí)枮?01410233155.X，申請日為014年05月28日公開了一種LED芯片P面電極、制備P面電極用刻蝕液及P面電極制備方法，屬于LED電極制備技術(shù)領(lǐng)域。該發(fā)明的刻蝕液包括鈦刻蝕液、鋁刻蝕液和金刻蝕液，組成簡單、配比合理，避免了電極金屬層厚度增加造成的濕法刻蝕電極圖形變形問題，該發(fā)明P面電極的制備方法，對LED芯片P面電極依次進行光刻和濕法刻蝕處理以獲得厚度適度增加的焊線電極，工藝簡單，重復(fù)性好。該發(fā)明很好的解決了焊線電極與封裝導(dǎo)線之間的虛焊、脫離問題。

上述專利在制備的過程中，涂保護膠后直接蝕刻，蝕刻的精度很低，造成產(chǎn)生廢料幾率大的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是：提供一種紅色LED芯片制程工藝中的電極制作方法，解決了現(xiàn)有技術(shù)中電極制備的精度低的問題。

本發(fā)明為解決上述技術(shù)問題采用以下技術(shù)方案：

一種紅色LED芯片制程工藝中的電極制作方法，包括如下步驟：

步驟1、將蒸鍍完P(guān)面、N面的LED芯片置于黃光室內(nèi)，在P面涂保護膠；

步驟2、在保護膠層上設(shè)置掩膜板，然后進行光照，形成保護層；

步驟3、對P面的金屬層進行蝕刻，形成P面的接觸電極，并進行去膠清洗；

步驟4、在P面的接觸電極上依次蒸鍍鈦層、鋁層，形成P面的焊線電極；

步驟5、對P面的焊線電極涂保護膠；

步驟6、將涂保護膠后的P面的焊線電極進行蝕刻，并進行去膠清洗；

所述步驟2與步驟3之間以及步驟5與步驟6之間均包括顯影、定影過程。

所述保護膠為正性光刻膠。

所述掩膜板上均勻設(shè)置若干圓形通孔。

所述步驟3中的蝕刻包括光刻及濕法刻蝕，對P面的金屬層首先進行光刻，然后進行濕法刻蝕，形成P面的接觸電極。

所述步驟6中的蝕刻包括光刻及濕法刻蝕，對涂保護膠后的P面的焊線電極首先進行光刻，然后進行濕法刻蝕。

所述鈦層厚度為130～170nm，鋁層厚度為1400～1900nm。

所述鈦層厚度為150nm，鋁層厚度為1500nm。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果：

1、在涂保護膠、設(shè)置完掩膜后進行顯影、定影處理，提高了蝕刻的精度，保證了P面電極的質(zhì)量。

2、避免了蝕刻過程中電極變形，或者蝕刻偏移的問題，應(yīng)用該方法制作的電極廢品率低，提高了工作效率，降低了成本。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的紅色LED芯片P面電極的結(jié)構(gòu)框圖。

其中，圖中的標識為：1-P面；2-N面；3-接觸電極；4-鈦層；5-鋁層。?