[發明專利]一種紅色LED芯片制程工藝中的電極制作方法在審
| 申請號： | 201410644761.0 | 申請日： | 2014-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN104409597A | 公開（公告）日： | 2015-03-11 |
| 發明（設計）人： | 沈智廣 | 申請（專利權）人： | 無錫科思電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/36 | 分類號： | H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人： | 許方 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 紅色 led 芯片 工藝 中的 電極 制作方法 | ||
1.一種紅色LED芯片制程工藝中的電極制作方法，包括如下步驟：
步驟1、將蒸鍍完P面、N面的LED芯片置于黃光室內，在P面涂保護膠；
步驟2、在保護膠層上設置掩膜板，然后進行光照，形成保護層；
步驟3、對P面的金屬層進行蝕刻，形成P面的接觸電極，并進行去膠清洗；
步驟4、在P面的接觸電極上依次蒸鍍鈦層、鋁層，形成P面的焊線電極；
步驟5、對P面的焊線電極涂保護膠；
步驟6、將涂保護膠后的P面的焊線電極進行蝕刻，并進行去膠清洗；
其特征在于：所述步驟2與步驟3之間以及步驟5與步驟6之間均包括顯影、定影過程。
2.根據權利要求1所述的紅色LED芯片制程工藝中的電極制作方法，其特征在于：所述保護膠為正性光刻膠。
3.根據權利要求1所述的紅色LED芯片制程工藝中的電極制作方法，其特征在于：所述掩膜板上均勻設置若干圓形通孔。
4.根據權利要求1所述的紅色LED芯片制程工藝中的電極制作方法，其特征在于：所述步驟3中的蝕刻包括光刻及濕法刻蝕，對P面的金屬層首先進行光刻，然后進行濕法刻蝕，形成P面的接觸電極。
5.根據權利要求1所述的紅色LED芯片制程工藝中的電極制作方法，其特征在于：所述步驟6中的蝕刻包括光刻及濕法刻蝕，對涂保護膠后的P面的焊線電極首先進行光刻，然后進行濕法刻蝕。
6.根據權利要求1所述的紅色LED芯片制程工藝中的電極制作方法，其特征在于：所述鈦層厚度為130～170nm，鋁層厚度為1400～1900nm。
7.根據權利要求6所述的紅色LED芯片制程工藝中的電極制作方法，其特征在于：所述鈦層厚度為150nm，鋁層厚度為1500nm。
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