[發(fā)明專利]金屬氧化物薄膜晶體管、陣列基板及制作方法、顯示裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410643441.3
• 申請(qǐng)日: 2014-11-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104319293A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-01-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉英偉;王美麗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1368
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及薄膜晶體管制造工藝領(lǐng)域，特別是指一種金屬氧化物薄膜晶體管、陣列基板及制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

氮氧化鋅(ZnON)是一種高遷移率的半導(dǎo)體材料，采用氮氧化鋅來(lái)制作薄膜晶體管(TFT)的有源層有利于改善TFT器件的性能。

現(xiàn)有形成氮氧化鋅圖形的工藝包括：“沉積氮氧化鋅----光刻膠曝光顯影-----刻蝕------剝離光刻膠”四步驟，在刻蝕形成氮氧化鋅的圖形時(shí)，由于氮氧化鋅的干刻速率很慢，因此不適合采用干法刻蝕來(lái)形成氮氧化鋅的圖形。而在采用濕法刻蝕來(lái)形成氮氧化鋅的圖形時(shí)，刻蝕液的選擇非常關(guān)鍵，由于氮氧化鋅既溶于酸性溶液也溶于堿性溶液，當(dāng)其作為T(mén)FT的有源層時(shí)，氮氧化鋅的刻蝕比較難以控制：當(dāng)采用堿性刻蝕液對(duì)氮氧化鋅進(jìn)行刻蝕時(shí)，如果刻蝕時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，氮氧化鋅表面保留的光刻膠會(huì)受到影響，進(jìn)而影響受光刻膠保護(hù)的氮氧化鋅有源層；當(dāng)采用酸性刻蝕液對(duì)氮氧化鋅進(jìn)行刻蝕時(shí)，如果刻蝕液濃度比較大，能夠使得氮氧化鋅刻蝕無(wú)殘留，但鉆刻嚴(yán)重；如果刻蝕液濃度比較低，將會(huì)出現(xiàn)氮氧化鋅未刻蝕完全時(shí)已經(jīng)出現(xiàn)鉆刻的情況。因此，采用濕法刻蝕來(lái)形成氮氧化鋅的圖形比較難以控制，嚴(yán)重影響了氮氧化鋅作為有源層的應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種金屬氧化物薄膜晶體管、陣列基板及制作方法、顯示裝置，能夠解決采用濕法刻蝕形成氧化物有源層的圖形難以控制的問(wèn)題。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的實(shí)施例提供技術(shù)方案如下：

一方面，提供一種金屬氧化物薄膜晶體管的制作方法，所述制作方法包括形成氧化物有源層的圖形的步驟，所述形成氧化物有源層的圖形的步驟包括：

在基板上形成由感光材料組成的多個(gè)倒臺(tái)面結(jié)構(gòu)；

在形成有所述倒臺(tái)面結(jié)構(gòu)的基板上形成氧化物有源層薄膜；

將形成有所述氧化物有源層薄膜的基板沉浸在有機(jī)溶劑中，溶解掉基板上的感光材料，形成氧化物有源層的圖形。

進(jìn)一步地，所述在基板上形成由感光材料組成的多個(gè)倒臺(tái)面結(jié)構(gòu)包括：

在基板上形成感光材料層；

以氧化物有源層的圖形為掩膜，對(duì)所述感光材料層進(jìn)行掩膜曝光；

對(duì)掩膜曝光后的所述感光材料層進(jìn)行反轉(zhuǎn)烘干和泛曝光，顯影形成感光材料層的圖形，所述感光材料層的圖形的橫截面為倒臺(tái)面。

進(jìn)一步地，所述在基板上形成感光材料層包括：

在形成有柵極和柵絕緣層的基板上旋涂一層感光材料，形成所述感光材料層。

進(jìn)一步地，所述以氧化物有源層的圖形為掩膜，對(duì)所述感光材料層進(jìn)行掩膜曝光之前還包括：

在真空中對(duì)形成有所述感光材料層的基板進(jìn)行烘干，烘干溫度為92-100℃，烘干時(shí)間為10-12min。

進(jìn)一步地，所述對(duì)掩膜曝光后的所述感光材料層進(jìn)行反轉(zhuǎn)烘干和泛曝光包括：

在真空中對(duì)掩膜曝光后的所述感光材料層進(jìn)行反轉(zhuǎn)烘干，反轉(zhuǎn)烘干溫度為85-90℃，時(shí)間為10-12min，之后對(duì)所述感光材料層進(jìn)行泛曝光，泛曝光光強(qiáng)為90mW/cm²，曝光時(shí)間為5-6s。

進(jìn)一步地，所述在形成有所述倒臺(tái)面結(jié)構(gòu)的基板上形成氧化物有源層薄膜包括：

在預(yù)設(shè)的溫度下采用濺射方式在形成有所述倒臺(tái)面結(jié)構(gòu)的基板上形成氧化物有源層薄膜。

進(jìn)一步地，所述氧化物有源層的材料包括In，Ga，Zn，Hf，Sn，Al中的一種或多種形成的金屬氧化物半導(dǎo)體，以及對(duì)所述金屬氧化物半導(dǎo)體進(jìn)行金屬離子或非金屬離子摻雜形成的半導(dǎo)體。

進(jìn)一步地，所述有機(jī)溶劑包括丙酮和氯苯。

進(jìn)一步地，所述制作方法具體包括：

提供一襯底基板；

通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在所述襯底基板上形成柵電極和柵線；

在形成有所述柵電極和柵線的基板上形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成氧化物有源層的圖形；

通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在形成有所述氧化物有源層的基板上形成刻蝕阻擋層的圖形；

通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在形成有所述刻蝕阻擋層的圖形的基板上形成源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板的制作方法，在以上述方法制作金屬氧化物薄膜晶體管之后，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在形成有源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的基板上形成包括有過(guò)孔的鈍化層；通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在所述鈍化層上形成像素電極，所述像素電極通過(guò)所述過(guò)孔與所述漏電極連接。