[發明專利]金屬氧化物薄膜晶體管、陣列基板及制作方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 201410643441.3
• 申請日: 2014-11-10
• 公開（公告）號: CN104319293A
• 公開（公告）日: 2015-01-28
• 發明（設計）人: 劉英偉;王美麗
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1368
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

1.一種金屬氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括形成氧化物有源層的圖形的步驟，所述形成氧化物有源層的圖形的步驟包括：

在基板上形成由感光材料組成的多個倒臺面結構；

在形成有所述倒臺面結構的基板上形成氧化物有源層薄膜；

將形成有所述氧化物有源層薄膜的基板沉浸在有機溶劑中，溶解掉基板上的感光材料，形成氧化物有源層的圖形。

2.根據權利要求1所述的金屬氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述在基板上形成由感光材料組成的多個倒臺面結構包括：

在基板上形成感光材料層；

以氧化物有源層的圖形為掩膜，對所述感光材料層進行掩膜曝光；

對掩膜曝光后的所述感光材料層進行反轉烘干和泛曝光，顯影形成感光材料層的圖形，所述感光材料層的圖形的橫截面為倒臺面。

3.根據權利要求2所述的金屬氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述在基板上形成感光材料層包括：

在形成有柵極和柵絕緣層的基板上旋涂一層感光材料，形成所述感光材料層。

4.根據權利要求2所述的金屬氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述以氧化物有源層的圖形為掩膜，對所述感光材料層進行掩膜曝光之前還包括：

在真空中對形成有所述感光材料層的基板進行烘干，烘干溫度為92-100℃，烘干時間為10-12min。

5.根據權利要求2所述的金屬氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述對掩膜曝光后的所述感光材料層進行反轉烘干和泛曝光包括：

在真空中對掩膜曝光后的所述感光材料層進行反轉烘干，反轉烘干溫度為85-90℃，時間為10-12min，之后對所述感光材料層進行泛曝光，泛曝光光強為90mW/cm²，曝光時間為5-6s。

6.根據權利要求1所述的金屬氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述在形成有所述倒臺面結構的基板上形成氧化物有源層薄膜包括：

在預設的溫度下采用濺射方式在形成有所述倒臺面結構的基板上形成氧化物有源層薄膜。

7.根據權利要求1所述的金屬氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述氧化物有源層的材料包括In，Ga，Zn，Hf，Sn，Al中的一種或多種形成的金屬氧化物半導體，以及對所述金屬氧化物半導體進行金屬離子或非金屬離子摻雜形成的半導體。

8.根據權利要求1所述的金屬氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述有機溶劑包括丙酮和氯苯。

9.根據權利要求1所述的金屬氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述制作方法具體包括：

提供一襯底基板；

通過一次構圖工藝在所述襯底基板上形成柵電極和柵線；

在形成有所述柵電極和柵線的基板上形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成氧化物有源層的圖形；

通過一次構圖工藝在形成有所述氧化物有源層的基板上形成刻蝕阻擋層的圖形；

通過一次構圖工藝在形成有所述刻蝕阻擋層的圖形的基板上形成源電極、漏電極和數據線。

10.一種金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，在以權利要求1-9中任一項所述方法制作金屬氧化物薄膜晶體管之后，通過一次構圖工藝在形成有源電極、漏電極和數據線的基板上形成包括有過孔的鈍化層；通過一次構圖工藝在所述鈍化層上形成像素電極，所述像素電極通過所述過孔與所述漏電極連接。

11.一種以權利要求1-9中任一項所述方法制作的金屬氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管的源電極和漏電極與未被刻蝕阻擋層覆蓋的氧化物有源層相連接。

12.一種陣列基板，其特征在于，包括如權利要求11所述的金屬氧化物薄膜晶體管，還包括位于形成有所述源電極、漏電極和數據線的基板上的包括有過孔的鈍化層；位于所述鈍化層上的像素電極，所述像素電極通過所述過孔與所述漏電極連接。

13.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求12所述的陣列基板。