[發(fā)明專(zhuān)利]一種大功率PIN器件硅外延片的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410643082.1
• 申請(qǐng)日: 2014-11-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104409345B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金龍;李國(guó)鵬;譚衛(wèi)東
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 南京國(guó)盛電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/329
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/329
• 代理公司: 南京知識(shí)律師事務(wù)所32207
• 代理人: 張?zhí)K沛

1.一種大功率PIN器件硅外延片的制造方法，其特征在于：

為滿足PIN器件設(shè)計(jì)的要求，選用重?fù)紸s的N型<100>拋光片，電阻率≤0.003Ω·cm，在15mm×15mm的局部平整度≤1.5mm，背面無(wú)背封氧化層；

HCl氣體腐蝕條件的選擇：氣體腐蝕溫度1130-1150℃，氣體腐蝕時(shí)間20min，HCl流量3-4L/min；

使用多晶硅自封閉技術(shù)使多晶硅從石墨基座轉(zhuǎn)移到襯底背面，達(dá)到背面包封的目的；

HCl氣體腐蝕拋光后變溫變速變流量的大流量氫氣吹掃10min以上，排除反應(yīng)室中殘余的N型雜質(zhì)，減小外延生長(zhǎng)時(shí)的自摻雜效應(yīng)；

所述的外延生長(zhǎng)為雙層外延生長(zhǎng)：第一層外延生長(zhǎng)：在襯底表面生長(zhǎng)一層純度外延層進(jìn)行包封，生長(zhǎng)溫度1000～1020℃，生長(zhǎng)速率0.3～0.5μm/min；

第二層外延生長(zhǎng)：生長(zhǎng)一層表面濃度小于10E13cm^-3的外延層，生長(zhǎng)溫度1030～1050℃，生長(zhǎng)速率為0.3～0.5μm/min；

氣體腐蝕完成后，采用H₂流量由320slm→100slm→320slm交替變速吹除10min，溫度為900℃。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率PIN器件硅外延片的制造方法，其特征在于：高純石墨基座作為高頻感應(yīng)加熱體，主要載氣H₂純度為99.9999％以上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的大功率PIN器件硅外延片的制造方法，其特征在于：外延生長(zhǎng)之前，石墨基座必須進(jìn)行HCl高溫處理，去除基座上殘余的反應(yīng)物，并淀積—層高純多晶硅。