[發明專利]一種基于正交相氧化鉬納米帶的氫氣敏感元件制備方法有效
| 申請號： | 201410641187.3 | 申請日： | 2014-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN104374810A | 公開（公告）日： | 2015-02-25 |
| 發明（設計）人： | 顧豪爽;楊樹林;胡永明;王釗;王程濤;熊娟 | 申請（專利權）人： | 湖北大學 |
| 主分類號： | G01N27/12 | 分類號： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 武漢河山金堂專利事務所 42212 | 代理人： | 丁齊旭 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 交相 氧化鉬 納米 氫氣 敏感 元件 制備 方法 | ||
1.一種基于正交相氧化鉬納米帶的氫氣敏感元件制備方法，其特征在于步驟如下：
步驟A：氧化鉬納米帶的制備
1)在25-500ml反應容器中，將Na2MoO4·2H2O加入到去離子水中，鉬元素的濃度約為0.1-2.5mol/L，緩慢攪拌使鉬鹽充分溶解；
2)在電磁攪拌下，將65％的濃硝酸緩慢倒入到上述溶液中，形成酸溶液，硝酸濃度為0.01-5mol/L；
3)待充分混合后，將上述溶液轉移到水熱反應釜中，在120-300℃溫度下反應1-72h；
4)待反應結束后，將反應釜空冷至室溫，過濾分離，在40-80℃干燥5-24h可得到正交相三氧化鉬納米帶粉末。
步驟B：電極的制備
1)光刻掩膜板制作：采用L-edit軟件設計叉指電極預定圖案，其中單個叉指電極圖案尺寸為1cm×1cm，其叉指條紋寬度10-50μm與間距1-10μm，其叉指條紋數量10-50個，所述叉指電極圖案均勻地重復排布在邊長70mm的正方形范圍內；
2)基片清洗：將氧化層厚度為10nm單面拋光的SiO2/Si片裁成1.5cm×1.5cm的小片，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗10-30min，然后在溫度40-60℃的空氣中烘干20-30min；
3)旋涂光刻膠：在步驟2)得到的烘干基片上旋涂一層光刻膠，然后在溫度98-102℃下烘1-3min，再放上步驟1)制作的光刻掩膜板，將所述的叉指電極圖案與所述的基片對齊；所述的光刻膠是用目前市場上銷售的產品；
4)掩膜曝光：步驟3)得到的旋涂光刻膠基片在光刻機上進行掩膜曝光2-6s，接著在溫度98-102℃下烘干1-3min，再在室溫下冷卻2-4min，然后進行無掩膜曝光5-10s，在兩次曝光后接著在顯影液中顯影15-40s，其后用超純水沖凈，吹干后待用；
5)采用標準直流磁控濺射技術，在Ar氣氛與70W濺射功率的條件下先后濺射Ti和Pt，它們的沉積厚度分別是10-50nm?Ti和40-200nm?Pt；
步驟C：氫氣敏感元件的構筑
1)使用移液槍量取2-10l無水乙醇加入到離心管中，稱取10-100mg氧化鉬粉末加入到上述液體中；
2)超聲處理2-20min，超聲頻率為40-100Hz；
3)超聲處理完畢后，使用移液槍量取1-3l上述混合液滴加到叉指電極中心部位；
4)將所得器件在真空度為0.0001-0.01Pa的條件下進行退火處理，退火溫度為100-300℃，退火時間為1-10h。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于湖北大學，未經湖北大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410641187.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
