[發(fā)明專利]有源元件及應用其的半導體元件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410641127.1
• 申請日: 2014-11-13
• 公開（公告）號: CN105655328B
• 公開（公告）日: 2018-08-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 呂函庭
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種半導體元件，包括：

一基板；

一第一阱具有一第一導電態(tài)并自該基板的一表面向下延伸；

一擴散區(qū)域摻雜該第一導電態(tài)的不純物并自該第一阱的一表面向下延伸；

多個有源元件形成于該擴散區(qū)域內(nèi)，且這些有源元件彼此相距地設(shè)置，

其中這些有源元件是通過該擴散區(qū)域而彼此電性絕緣，這些有源元件之一包括：

一導電護欄結(jié)構(gòu)形成于該擴散區(qū)域上；和

一輕摻雜區(qū)域具有一第二導電態(tài)，且該輕摻雜區(qū)域自該擴散區(qū)域的一表面向下延伸并對應地位于該導電護欄結(jié)構(gòu)之內(nèi)，其中位于相鄰的這些有源元件之間的一隔離區(qū)域是由這些相鄰有源元件的這些導電護欄結(jié)構(gòu)所定義。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體元件，其中該導電護欄結(jié)構(gòu)包括：

一中間部(middle portion)，其中該中間部是作為該有源元件的一柵極，且該中間部沿著一第一方向具有一通道寬度(channel width，W’)和沿著一第二方向具有一通道長度(channel length，Lg)；

一第一護部(first guarding portion)，連接該中間部的一側(cè)以定義位于該擴散區(qū)域的一第一區(qū)域(first region)，其中該第一區(qū)域是由該第一護部和該中間部圍繞而成；和

一第二護部(second guarding portion)，與該第一護部相對并連接該中間部的另一側(cè)以定義位于該擴散區(qū)域的一第二區(qū)域(second region)，其中該第二區(qū)域是由該第二護部和該中間部圍繞而成，其中該第一區(qū)域和該第二區(qū)域是位于該輕摻雜區(qū)域內(nèi)，而該第一區(qū)域和該第二區(qū)域是相隔開該通道長度的一距離。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體元件，其中這些有源元件之一更包括：

一第一接觸區(qū)域(first contact region)具有該第二導電態(tài)并形成于該導電護欄結(jié)構(gòu)的該第一區(qū)域內(nèi)，且該第一接觸區(qū)域是與該第一護部和該中間部相距；

一第二接觸區(qū)域(second contact region)具有該第二導電態(tài)并形成于該導電護欄結(jié)構(gòu)的該第二區(qū)域內(nèi)，且該第二接觸區(qū)域是與該第二護部和該中間部相距；和

一第一接點(first contact)形成于該第一接觸區(qū)域，以及一第二接點(secondcontact)形成于該第二接觸區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體元件，其中當該半導體元件為一低壓(LV)元件時，相鄰的這些有源元件之間的一間距(space，S)是在0.18μm to0.28μm的范圍內(nèi)；當該半導體元件為一高壓(HV)元件時，相鄰的這些有源元件之間的一間距(space，S)是在0.8μm to 1.2μm的范圍內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體元件，其中相鄰的這些有源元件之間的一間距(space，S)處是無淺溝道隔離(Shallow trench isolation，STI)。

6.一有源元件，形成于一基板處的具有一第一導電態(tài)的一擴散區(qū)域內(nèi)，該有源元件包括：

一導電護欄結(jié)構(gòu)(conductive guarding structure)，包括：

一中間部(middle portion)；

一第一護部(first guarding portion)，連接該中間部的一側(cè)以定義位于該擴散區(qū)域的一第一區(qū)域(first region)，其中該第一區(qū)域是由該第一護部和該中間部圍繞而成；和

一第二護部(second guarding portion)，與該第一護部相對并連接該中間部的另一側(cè)以定義位于該擴散區(qū)域的一第二區(qū)域(second region)，其中該第二區(qū)域是由該第二護部和該中間部圍繞而成；

一第一接觸區(qū)域(first contact region)具有一第二導電態(tài)并形成于該導電護欄結(jié)構(gòu)的該第一區(qū)域內(nèi)，且該第一接觸區(qū)域是與該第一護部和該中間部相距；和

一第二接觸區(qū)域(second contact region)具有該第二導電態(tài)并形成于該導電護欄結(jié)構(gòu)的該第二區(qū)域內(nèi)，且該第二接觸區(qū)域是與該第二護部和該中間部相距。