[發明專利]封裝裝置和封裝方法有效
| 申請號: | 201410641094.0 | 申請日: | 2014-11-13 |
| 公開(公告)號: | CN104362103A | 公開(公告)日: | 2015-02-18 |
| 發明(設計)人: | 高昕偉;王丹;洪瑞;孔超 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 裝置 方法 | ||
技術領域
本發明涉及顯示面板制造技術領域,尤其涉及一種封裝裝置和封裝方法。
背景技術
目前發光二極管顯示面板主要采用玻璃封接料(Frit)來進行封裝。圖1是現有封裝方式示意圖,第一基板1和第二基板2之間通過封接料3封裝在一起,其中第二基板2上設置有發光單元4。封裝過程中,使用激光器7照射封接料3使之熔化,在封接料3再次固化的過程中,就能夠將第一基板1和第二基板2封裝在一起。
由于激光一次只能對局部的封接料3進行照射,因此局部封接料3熔化時,第一基板1與第二基板2之間會發生應力釋放,釋放的應力容易使兩者分離,導致封接料3不能有效封裝第一基板1和第二基板3,發生封裝不良問題。
現有技術中的一種解決方法是在第一基板1的外側設置受熱膨脹層和其它夾層,當封接料3受到激光照射熔化時,產生的熱量同時傳遞給受熱膨脹層,受熱膨脹層受熱后發生膨脹,進而將第一基板1壓附在第二基板2上,從而防止兩者由于應力釋放而發生分離。這種方法需要保持激光由下向上照射,既不方便操作,同時由于該受熱膨脹層采用有機高分子材料或者彈性橡膠材料制作,容易造成污染。
現有技術中的另一種解決方法是在第一基板1與第二基板2外側添加壓板組件,為第一基板1和第二基板2提供夾持力,同時設置傳感器感應兩者之間壓力的大小,避免由于夾持力太小造成密封效果差,或者因為夾持力過大而造成器件損傷,從而改善封裝質量。這種方法在封裝時,由于第一基板1與第二基板2的間距非常小(通常在20μm以下),傳感器很難有效感應壓板組件壓力的大小,而且如何實現傳感器與顯示器件的有效整合也是個難題。
發明內容
本發明的目的在于提供一種封裝裝置和封裝方法,以改善封接料熔化時,發光二極管顯示面板的兩基板之間由于應力釋放而導致的封裝不良問題。
為解決上述技術問題,作為本發明的第一個方面,提供一種封裝裝置,用于封裝發光二極管顯示面板,所述發光二極管顯示面板包括第一基板、第二基板、以及用于連接所述第一基板和所述第二基板的封接料,所述封裝裝置包括能夠通過磁力互相吸引的第一吸附件和第二吸附件,所述第一吸附件和所述第二吸附件中的一者用于設置在所述第一基板的外側,另一者用于設置在所述第二基板的外側。
優選地,所述第一吸附件包括鐵磁性材料,所述第二吸附件包括電磁體。
優選地,所述封裝裝置還包括第一吸附件載體,所述第一吸附件設置在所述第一吸附件載體上。
優選地,所述第一吸附件包括多個子吸附件,多個所述子吸附件之間形成有間隔,所述第一吸附件載體上對應于所述間隔的部分能夠透光。
優選地,所述封裝裝置還包括隔離件,所述隔離件設置在所述電磁體與所述第一基板和所述第二基板中外側設置有所述電磁體的一者之間,所述隔離件由非鐵磁性材料制成。
優選地,所述電磁體包括獨立控制的多個子電磁體。
作為本發明的第二個方面,還提供一種封裝方法,用于封裝發光二極管顯示面板,所述發光二極管顯示面板包括第一基板、第二基板、以及用于連接所述第一基板和所述第二基板的封接料,所述封裝方法包括以下步驟:
在所述第一基板和所述第二基板的至少一者上設置固態的封接料;
將所述第一基板和所述第二基板對盒;
將第一吸附件設置在所述第一基板和所述第二基板中的一者的外側;
將第二吸附件設置在所述第一基板和所述第二基板中的另一者的外側;
熔化所述封接料,以將所述第一基板和所述第二基板連接,其中,當所述封接料熔化時,所述第一吸附件和所述第二吸附件之間通過磁力互相吸引;
將熔化的封接料固化。
優選地,所述第一吸附件與所述第二吸附件在所述第一基板和/或所述第二基板上的正投影至少部分重合。
優選地,所述第一吸附件和所述第二吸附件的位置對應于所述封接料的位置。
優選地,所述第一吸附件包括鐵磁性材料,所述第二吸附件包括電磁體,在熔化所述封接料的步驟中,向所述電磁體通電,以使所述第二吸附層產生磁力,在將熔化的封接料固化的步驟中,停止向所述電磁體通電。
優選地,利用激光熔化所述封接料,所述電磁體包括多個子電磁體,多個所述子電磁體環繞所述發光二極管顯示面板的顯示區域設置,在熔化所述封接料的步驟中,向激光照射的區域處的所述子電磁體通電。
優選地,通向所述子電磁體的電信號的強度隨照射向設置所述子電磁體的區域的激光的強度的增大而增大;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





