[發(fā)明專利]封裝裝置和封裝方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410641094.0 | 申請日: | 2014-11-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104362103A | 公開(公告)日: | 2015-02-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 高昕偉;王丹;洪瑞;孔超 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/56 | 分類號(hào): | H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 封裝 裝置 方法 | ||
1.一種封裝裝置,用于封裝發(fā)光二極管顯示面板,所述發(fā)光二極管顯示面板包括第一基板、第二基板、以及用于連接所述第一基板和所述第二基板的封接料,其特征在于,所述封裝裝置包括能夠通過磁力互相吸引的第一吸附件和第二吸附件,所述第一吸附件和所述第二吸附件中的一者用于設(shè)置在所述第一基板的外側(cè),另一者用于設(shè)置在所述第二基板的外側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝裝置,其特征在于,所述第一吸附件包括鐵磁性材料,所述第二吸附件包括電磁體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝裝置,其特征在于,所述封裝裝置還包括第一吸附件載體,所述第一吸附件設(shè)置在所述第一吸附件載體上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝裝置,其特征在于,所述第一吸附件包括多個(gè)子吸附件,多個(gè)所述子吸附件之間形成有間隔,所述第一吸附件載體上對應(yīng)于所述間隔的部分能夠透光。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝裝置,其特征在于,所述封裝裝置還包括隔離件,所述隔離件設(shè)置在所述電磁體與所述第一基板和所述第二基板中外側(cè)設(shè)置有所述電磁體的一者之間,所述隔離件由非鐵磁性材料制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝裝置,其特征在于,所述電磁體包括獨(dú)立控制的多個(gè)子電磁體。
7.一種封裝方法,用于封裝發(fā)光二極管顯示面板,所述發(fā)光二極管顯示面板包括第一基板、第二基板、以及用于連接所述第一基板和所述第二基板的封接料,其特征在于,所述封裝方法包括以下步驟:
在所述第一基板和所述第二基板的至少一者上設(shè)置固態(tài)的封接料;
將所述第一基板和所述第二基板對盒;
將第一吸附件設(shè)置在所述第一基板和所述第二基板中的一者的外側(cè);
將第二吸附件設(shè)置在所述第一基板和所述第二基板中的另一者的外側(cè);
熔化所述封接料,以將所述第一基板和所述第二基板連接,其中,當(dāng)所述封接料熔化時(shí),所述第一吸附件和所述第二吸附件之間通過磁力互相吸引;
將熔化的封接料固化。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝方法,其特征在于,所述第一吸附件與所述第二吸附件在所述第一基板和/或所述第二基板上的正投影至少部分重合。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝方法,其特征在于,所述第一吸附件和所述第二吸附件的位置對應(yīng)于所述封接料的位置。
10.根據(jù)權(quán)利要求7至9中任意一項(xiàng)所述的封裝方法,其特征在于,所述第一吸附件包括鐵磁性材料,所述第二吸附件包括電磁體,在熔化所述封接料的步驟中,向所述電磁體通電,以使所述第二吸附層產(chǎn)生磁力,在將熔化的封接料固化的步驟中,停止向所述電磁體通電。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的封裝方法,其特征在于,利用激光熔化所述封接料,所述電磁體包括多個(gè)子電磁體,多個(gè)所述子電磁體環(huán)繞所述發(fā)光二極管顯示面板的顯示區(qū)域設(shè)置,在熔化所述封接料的步驟中,向激光照射的區(qū)域處的所述子電磁體通電。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的封裝方法,其特征在于,通向所述子電磁體的電信號(hào)的強(qiáng)度隨照射向設(shè)置所述子電磁體的區(qū)域的激光的強(qiáng)度的增大而增大;
通向所述子電磁體的電信號(hào)的強(qiáng)度隨照射向設(shè)置所述子電磁體的區(qū)域的激光的強(qiáng)度的減小而減小。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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