[發(fā)明專(zhuān)利]多層陶瓷電容器及其制造方法和具有多層陶瓷電容器的板有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410636445.9 | 申請(qǐng)日： | 2014-11-06 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN105206423B | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-06-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李承澔;金鐘翰;李旼坤 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 三星電機(jī)株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01G4/30 | 分類(lèi)號(hào)： | H01G4/30;H01G4/12;H01G4/002 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 金光軍;劉奕晴 |
| 地址： | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 韓國(guó);KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多層 陶瓷 電容器 及其 制造 方法 具有 | ||
1.一種多層陶瓷電容器，其包括：
活性部分，該活性部分包括交替地堆疊在所述活性部分中的介電層和內(nèi)部電極；以及
覆蓋部分，該覆蓋部分設(shè)置在所述活性部分的上表面和下表面中的至少一者上，
其中，所述覆蓋部分包括活性部分保護(hù)覆蓋件和外覆蓋件，所述活性部分保護(hù)覆蓋件設(shè)置成鄰近所述活性部分，
其中，所述外覆蓋件的孔隙率高于所述活性部分保護(hù)覆蓋件的孔隙率，所述活性部分保護(hù)覆蓋件的孔隙率為1vol％或更低，
其中，所述活性部分保護(hù)覆蓋件的厚度為0.5μm至100μm，
其中，所述外覆蓋件含有通過(guò)還原過(guò)氧化的金屬而形成的金屬顆粒。
2.如權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述覆蓋部分設(shè)置為使得所述外覆蓋件中的殘?zhí)既コ士煊谒龌钚圆糠直Ｗo(hù)覆蓋件中的殘?zhí)既コ省?/p>
3.如權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中所述外覆蓋件的孔隙率為12vol％至43vol％。
4.一種多層陶瓷電容器，其包括：
活性部分，該活性部分包括交替地堆疊在所述活性部分中的介電層和內(nèi)部電極；以及
覆蓋部分，該覆蓋部分設(shè)置在所述活性部分的上表面和下表面中的至少一者上，
其中，所述覆蓋部分包括活性部分保護(hù)覆蓋件和外覆蓋件，所述活性部分保護(hù)覆蓋件設(shè)置成鄰近所述活性部分，
其中，當(dāng)所述活性部分和所述覆蓋部分的總厚度為T(mén)1，所述覆蓋部分的設(shè)置在所述活性部分的上表面上的上覆蓋部分或設(shè)置在所述活性部分的下表面上的下覆蓋部分的厚度為T(mén)c時(shí)，滿(mǎn)足0.25≤Tc/T1，
其中，所述外覆蓋件中含有的顆粒的平均直徑大于所述活性部分保護(hù)覆蓋件中含有的顆粒的平均直徑。
5.如權(quán)利要求4所述的多層陶瓷電容器，其中，所述外覆蓋件設(shè)置為使得所述外覆蓋件中的位置更靠近所述活性部分保護(hù)覆蓋件的顆粒的直徑小于所述外覆蓋件中的位置離所述活性部分保護(hù)覆蓋件更遠(yuǎn)的顆粒的直徑。
6.如權(quán)利要求4所述的多層陶瓷電容器，其中，所述外覆蓋件含有通過(guò)還原過(guò)氧化的金屬而形成的金屬顆粒。
7.如權(quán)利要求4所述的多層陶瓷電容器，其中，所述覆蓋部分的所述上覆蓋部分或所述下覆蓋部分的厚度為所述活性部分的厚度的1/2或更多。
8.一種多層陶瓷電容器，其包括：
陶瓷體，該陶瓷體具有活性部分和覆蓋部分，所述活性部分包括多個(gè)介電層以及第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極，所述第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極設(shè)置為彼此面對(duì)，且所述第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極之間插入有所述多個(gè)介電層中的至少一個(gè)介電層，所述覆蓋部分設(shè)置在所述活性部分的上表面和下表面中的至少一者上；以及
第一外部電極和第二外部電極，所述第一外部電極和所述第二外部電極設(shè)置在所述陶瓷體的外表面上以分別連接至所述第一內(nèi)部電極和所述第二內(nèi)部電極，
其中，所述覆蓋部分包括活性部分保護(hù)部分和厚度增強(qiáng)部分，所述活性部分保護(hù)部分設(shè)置成鄰近所述活性部分，所述厚度增強(qiáng)部分設(shè)置在所述活性部分保護(hù)部分的外表面上，
其中，當(dāng)所述陶瓷體的厚度為T(mén)1，所述覆蓋部分的設(shè)置在所述活性部分的上表面上的上覆蓋部分或設(shè)置在所述活性部分的下表面上的下覆蓋部分的厚度為T(mén)c時(shí)，滿(mǎn)足0.25≤Tc/T1，
其中，所述厚度增強(qiáng)部分中含有的顆粒的平均尺寸大于所述活性部分保護(hù)部分中含有的顆粒的平均尺寸。
9.如權(quán)利要求8所述的多層陶瓷電容器，其中，所述厚度增強(qiáng)部分設(shè)置為使得所述厚度增強(qiáng)部分中的位置更靠近所述活性部分保護(hù)部分的顆粒的直徑小于所述厚度增強(qiáng)部分中的位置離所述活性部分保護(hù)部分更遠(yuǎn)的顆粒的直徑。
10.如權(quán)利要求8所述的多層陶瓷電容器，其中，所述厚度增強(qiáng)部分含有通過(guò)還原過(guò)氧化的金屬而形成的金屬顆粒。
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