[發明專利]陣列基板、彩膜基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置

在審

• 申請號: 201410635638.2
• 申請日: 2014-11-05
• 公開（公告）號: CN104360553A
• 公開（公告）日: 2015-02-18
• 發明（設計）人: 劉冬妮
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/1335;H01L27/12
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本發明涉及顯示器技術領域，尤其涉及一種陣列基板、彩膜基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置。

背景技術

隨著顯示技術的發展，高解析度窄邊框的顯示面板越來越受到人們的推崇，在現有技術的基礎上，隨著解析度越做越高，對應像素的尺寸越來越小，由此帶來的像素開口率的降低越來越明顯。窄邊框設計中周邊公共電極線寬度設計越來越占比重?，F有技術液晶顯示器中的公共電極的材料一般選擇氧化銦錫(Indium?Tin?Oxide，ITO)材料，ITO薄膜是一種n型半導體材料，具有高的導電率、高的可見光透過率、高的機械硬度和良好的化學穩定性。它是液晶顯示器、等離子顯示器、電致發光顯示器、觸摸屏、太陽能電池以及其它電子儀表的透明電極最常用的薄膜材料。由于采用ITO薄膜作為公共電極時，公共電極的電阻較大，會使液晶面板抗串擾和抗閃爍的性能變差。為了降低公共電極的電阻，現有技術通常采用下面三種方法實現。

方法一：通過將柵極(Gate)金屬層作為公共電極層，用來降低公共電極的電阻，但是采用該方法會導致顯示面板開口率降低的問題。方法二：在液晶面板的顯示區采用第三金屬層作為公共電極層，用來降低公共電極的電阻，但是采用該方法會增加一道掩膜板(mask)，導致整個工藝過程增加，同時也增加了制作成本。方法三：在方法一和方法二的基礎上，通過在顯示面板的顯示區10的周邊設計公共電極走線11，如圖1所示，用來降低公共電極的電阻，但是采用該方法不利于窄邊框的設計。

綜上所述，現有技術中公共電極的電阻較大，液晶面板抗串擾和抗閃爍的性能較差，公共電極設計限制了高開口率及窄邊框的產品的開發。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例提供了一種陣列基板、彩膜基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置，用以降低公共電極的電阻，降低殘像、閃爍等不良。

本發明實施例提供的一種陣列基板，包括襯底基板，該襯底基板劃分為透光區和非透光區，所述透光區包括位于該襯底基板上的若干陣列排列的像素電極，所述非透光區包括位于該襯底基板上的若干陣列排列的薄膜晶體管、數據線和柵極線，其中，所述陣列基板還包括透明的公共電極，其中至少部分位于所述非透光區的所述公共電極的厚度大于位于所述透光區的所述公共電極的厚度。

由本發明實施例提供的陣列基板，由于該陣列基板中的公共電極至少部分位于陣列基板非透光區的厚度大于位于陣列基板透光區的厚度。這種設計相對于現有技術的方法一能夠增加開口率，相對于現有技術的方法二能夠減少掩膜板數量，相對于現有技術的方法三，能夠減少公共電極電阻設計對窄邊框的影響。因此，將公共電極在陣列基板的透光區和非透光區的厚度設置為不同，對于整個公共電極層，能夠降低公共電極電阻，降低殘像、閃爍等不良。

較佳地，至少部分正投影在所述數據線和/或所述柵極線區域的所述公共電極的厚度大于正投影在所述像素電極區域的所述公共電極的厚度。

這樣，對于整個公共電極層，能夠降低公共電極電阻，降低殘像、閃爍等不良。

較佳地，所述公共電極位于所述數據線和柵極線的上方，所述公共電極位于所述像素電極的下方，位于所述數據線和柵極線上方區域的所述公共電極的厚度大于位于所述像素電極下方區域的所述公共電極的厚度。

這樣，公共電極位于數據線和柵極線的上方，公共電極位于像素電極的下方，在實際制作過程中更加方便、簡單；位于數據線和柵極線上方區域的公共電極的厚度大于位于像素電極下方區域的公共電極的厚度，能夠在降低公共電極電阻的同時，不影響像素電極的透過率。

較佳地，位于所述數據線上方的所述公共電極的厚度與位于所述柵極線上方的所述公共電極的厚度相同。

這樣，將位于數據線上方的公共電極的厚度設置為與位于柵極線上方的公共電極的厚度相同，在實際制作過程中更加方便、簡單。

本發明實施例還提供了一種彩膜基板，包括襯底基板，該襯底基板劃分為透光區和非透光區，所述透光區包括位于該襯底基板上的彩膜層，所述非透光區包括位于該襯底基板上的黑矩陣，還包括透明的公共電極，其中至少部分位于所述非透光區的所述公共電極的厚度大于位于所述透光區的所述公共電極的厚度。

由本發明實施例提供的彩膜基板，由于該彩膜基板中的公共電極至少部分位于彩膜基板非透光區的厚度大于位于彩膜基板透光區的厚度，對于整個公共電極層，能夠降低公共電極電阻，降低殘像、閃爍等不良。

較佳地，至少部分正投影在所述黑矩陣區域的所述公共電極的厚度大于正投影在所述彩膜層層區域的所述公共電極的厚度。

這樣，在實際制作過程中更加方便、簡單。