[發(fā)明專利]陣列基板、彩膜基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置

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• 申請日: 2014-11-05
• 公開（公告）號: CN104360553A
• 公開（公告）日: 2015-02-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉冬妮
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/1335;H01L27/12
• 代理公司: 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種陣列基板，包括襯底基板，該襯底基板劃分為透光區(qū)和非透光區(qū)，所述透光區(qū)包括位于該襯底基板上的若干陣列排列的像素電極，所述非透光區(qū)包括位于該襯底基板上的若干陣列排列的薄膜晶體管、數(shù)據(jù)線和柵極線，其特征在于，所述陣列基板還包括透明的公共電極，其中至少部分位于所述非透光區(qū)的所述公共電極的厚度大于位于所述透光區(qū)的所述公共電極的厚度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，至少部分正投影在所述數(shù)據(jù)線和/或所述柵極線區(qū)域的所述公共電極的厚度大于正投影在所述像素電極區(qū)域的所述公共電極的厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極位于所述數(shù)據(jù)線和柵極線的上方，所述公共電極位于所述像素電極的下方，位于所述數(shù)據(jù)線和柵極線上方區(qū)域的所述公共電極的厚度大于位于所述像素電極下方區(qū)域的所述公共電極的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，位于所述數(shù)據(jù)線上方的所述公共電極的厚度與位于所述柵極線上方的所述公共電極的厚度相同。

5.一種彩膜基板，包括襯底基板，該襯底基板劃分為透光區(qū)和非透光區(qū)，所述透光區(qū)包括位于該襯底基板上的彩膜層，所述非透光區(qū)包括位于該襯底基板上的黑矩陣，其特征在于，還包括透明的公共電極，其中至少部分位于所述非透光區(qū)的所述公共電極的厚度大于位于所述透光區(qū)的所述公共電極的厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的彩膜基板，其特征在于，至少部分正投影在所述黑矩陣區(qū)域的所述公共電極的厚度大于正投影在所述彩膜層層區(qū)域的所述公共電極的厚度。

7.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括權(quán)利要求1-4任一權(quán)項所述的陣列基板，或權(quán)利要求5-6任一權(quán)項所述的彩膜基板。

8.一種顯示裝置，其特征在于，所述裝置包括權(quán)利要求7所述的顯示面板。

9.一種如權(quán)利要求1-4任一權(quán)項所述的陣列基板的制作方法，包括薄膜晶體管的制作、像素電極的制作以及數(shù)據(jù)線和柵極線的制作，其特征在于，還包括公共電極的制作，其中至少部分位于陣列基板非透光區(qū)的所述公共電極的厚度大于位于陣列基板透光區(qū)的所述公共電極的厚度。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，采用多色調(diào)掩膜板制作所述公共電極，具體包括：

在襯底基板上沉積透明導電薄膜；

在所述透明導電薄膜上涂覆光刻膠，通過多色調(diào)掩膜板進行曝光、顯影，形成光刻膠完全覆蓋區(qū)、光刻膠部分覆蓋區(qū)和無光刻膠覆蓋區(qū)，其中，所述光刻膠完全覆蓋區(qū)對應陣列基板的非透光區(qū)，光刻膠部分覆蓋區(qū)對應陣列基板的透光區(qū)，無光刻膠覆蓋區(qū)對應像素電極與薄膜晶體管的連接區(qū)；

通過刻蝕，去除無光刻膠覆蓋區(qū)的所述透明導電薄膜，并去除光刻膠部分覆蓋區(qū)的光刻膠，暴露出所述透明導電薄膜；

通過刻蝕，去除暴露出的部分厚度的所述透明導電薄膜，形成位于陣列基板透光區(qū)的公共電極；

去除剩余光刻膠，形成位于陣列基板非透光區(qū)的公共電極，位于所述非透光區(qū)的公共電極的厚度大于位于所述透光區(qū)的公共電極的厚度。

11.一種如權(quán)利要求5-6任一權(quán)項所述的彩膜基板的制作方法，包括彩膜層的制作和黑矩陣的制作，其特征在于，還包括公共電極的制作，其中至少部分位于彩膜基板非透光區(qū)的所述公共電極的厚度大于位于彩膜基板透光區(qū)的所述公共電極的厚度。