[發(fā)明專利]一種半導體器件及其制造方法、電子裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410632527.6 | 申請日： | 2014-11-11 |
| 公開（公告）號： | CN105590834A | 公開（公告）日： | 2016-05-18 |
| 發(fā)明（設計）人： | 高娜;陳育浩 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 董巍;高偉 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體器件 及其 制造 方法 電子 裝置 | ||
1.一種半導體器件的制造方法，包括：
提供半導體襯底，在所述半導體襯底中形成溝槽；
在所述半導體襯底上以及所述溝槽的側壁和底部沉積材料層；
實施化學機械研磨處理，以使位于晶圓邊緣的所述材料層的表面 粗糙度增大；
實施高密度等離子體化學氣相沉積于所述溝槽中填充另一材料 層。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，實施所述化學機 械研磨處理后，還包括實施擦除清洗處理的步驟，以去除殘留于所述 材料層表面的顆粒雜質(zhì)。
3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述溝槽為用于 填充隔離材料以形成淺溝槽隔離結構的溝槽。
4.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，形成所述溝槽之 前，還包括在所述半導體襯底上依次沉積襯墊層和硬掩膜層的步驟。
5.根據(jù)權利要求4所述的方法，其特征在于，在所述溝槽中填 充另一材料層之后，還包括：實施另一化學機械研磨，直至露出所述 材料層；通過蝕刻去除所述硬掩膜層和所述襯墊層。
6.根據(jù)權利要求5所述的方法，其特征在于，所述材料層為由 氮氧化硅或者二氧化硅構成的襯里層；所述另一材料層為所述隔離材 料層。
7.一種采用權利要求1-6之一所述的方法制造的半導體器件。
8.一種電子裝置，所述電子裝置包括權利要求7所述的半導體 器件。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
