[發明專利]化合物鈉硼氧溴光學晶體及其制備方法和用途有效
| 申請號: | 201410626517.1 | 申請日: | 2014-11-07 |
| 公開(公告)號: | CN105624779B | 公開(公告)日: | 2017-09-01 |
| 發明(設計)人: | 潘世烈;白春燕;韓樹娟 | 申請(專利權)人: | 中國科學院新疆理化技術研究所 |
| 主分類號: | C30B29/10 | 分類號: | C30B29/10;C30B1/10;C30B15/00;G02B1/02 |
| 代理公司: | 烏魯木齊中科新興專利事務所65106 | 代理人: | 張莉 |
| 地址: | 830011 新疆維吾爾*** | 國省代碼: | 新疆;65 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 化合物 鈉硼氧溴 光學 晶體 及其 制備 方法 用途 | ||
1.一種化合物鈉硼氧溴光學晶體,其特征在于該晶體的化學式為Na3B4O7Br,分子量為304.12,屬于六方晶系,空間群為P6522。
2.根據權利要求1所述的化合物鈉硼氧溴光學晶體的制備方法,其特征在于具體操作按下列步驟進行:
a、采用固相反應法,按摩爾比Na:B:Br = 3:4:1稱取原料放入研缽中,研磨均勻后放入剛玉坩堝,將剛玉坩堝置于馬弗爐中,緩慢升溫至400℃,恒溫12小時,冷卻后取出坩堝,將樣品研磨均勻,再置于坩堝中,將馬弗爐升溫至650℃,恒溫48小時后將樣品取出,放入研缽中仔細研磨得到鈉硼氧溴化合物單相多晶粉末,再對該多晶粉末進行X射線分析,所得X射線譜圖與Na3B4O7Br單晶研磨成粉末后的X射線譜圖是一致的;
b、將步驟a制備的鈉硼氧溴化合物單相多晶粉末與助熔劑按摩爾比1:1-12均勻混合,裝入鉑金坩堝中,以1-80℃/h的升溫速率加熱至溫度600-750℃,恒溫6-100小時,得到混合熔液;
或按摩爾比Na:B:Br = 3:4:1直接稱取原料,與助熔劑混合均勻,以1-80℃/h的升溫速率加熱至溫度600-750℃,恒溫6-100小時,得到混合熔液;
c、將步驟b得到的混合熔液降溫至550℃-670℃,將籽晶桿伸入液面以下,以0.5-5℃/h的速率緩慢降溫5-100℃,將籽晶桿提出液面,籽晶桿上會有聚集物,再以1-80℃/h的速率降至室溫,獲得鈉硼氧溴籽晶;
d、將步驟b的混合熔液降溫至540-660℃,將步驟c得到的籽晶固定在籽晶桿上,從晶體生長爐頂部下籽晶,先將籽晶預熱5-60分鐘,然后將籽晶下至接觸混合熔液液面或混合熔液中進行回熔,恒溫5-60分鐘,快速降至溫度530-655℃;
e、再以0.1-3℃/天的速率緩慢降溫,以0-100rpm轉速旋轉籽晶桿進行晶體的生長,待單晶生長到所需尺度后,將晶體提離混合熔液表面,并以1-80℃/h速率降至室溫,然后將晶體從爐膛中取出,即可得到鈉硼氧溴光學晶體。
3.根據權利要求2所述的方法,其特征在于步驟a中含鈉化合物為Na2CO3、Na2O、Na2C2O4、Na2B4O7或NaNO3,含硼的化合物為H3BO3、B2O3,含溴化合物為NaBr。
4.根據權利要求2所述的方法,其特征在于步驟a所述助熔劑為PbO、H3BO3-Na2O或H3BO3-PbO。
5.根據權利要求4所述方法,其特征在于助熔劑H3BO3-Na2O或H3BO3-PbO體系中H3BO3與氧化物的摩爾比為1-6:1-5。
6.根據權利要求1所述的鈉硼氧溴光學晶體在制備窗口、透鏡或棱鏡中的用途。
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