[發明專利]一種機臺有效
| 申請號: | 201410625878.4 | 申請日: | 2014-11-07 |
| 公開(公告)號: | CN104409389B | 公開(公告)日: | 2017-10-27 |
| 發明(設計)人: | 王海濤;汪雯;賈宏康 | 申請(專利權)人: | 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;G02F1/13 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司11002 | 代理人: | 李相雨 |
| 地址: | 230012 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 機臺 | ||
技術領域
本發明涉及半導體器件或TFT-LCD面板生產領域,特別是指用于清除基板靜電的機臺。
背景技術
Array CVD Repair設備是TFT-LCD面板領域在陣列段主要維修設備,用于對陣列基板的線不良和點不良進行查看、判級和維修,如圖1所示,現有技術中,機臺包括承載基板1的本體2和支撐銷3,當基板1送入時,支撐銷3升起,在本體2上方支撐基板1,隨著支撐銷3下降,基板1放置在本體2上;當基板1送出時,支撐銷3升起,在本體2上方支撐基板1,隨后取出基板1,在以上過程中,離子棒吹的去離子風由于基板1的阻擋和存在盲區,無法到達本體2上方和基板1上方部分區域,因此存在以下風險:
1、在基板1送入或送出過程中,基板1和本體2之間有接觸,使基板1在本體2表面產生摩擦,從而使本體2表面的靜電平衡被打破,局部產生靜電積累,誘導TFT整列基板上信號線交疊處電荷聚集,因此在后端工藝條件激發下,產生不能維修的斷路或短路不良;
2、在支撐銷3下降,脫離基板1時,由于支撐銷3與基板1分離的速度過快,基板1上分布的信號線交疊處,因為周圍環境的驟變,產生靜電擊穿現象,使部分信號線短路或短路的ESD不良;
3、隨著基板1的厚度逐漸減小(0.7T→0.4T),本體2表面一旦有靜電積累,會吸附基板1,從而在基板1被托起時,產生彎曲變形,導致裂紋破損。
發明內容
本發明提出一種機臺,解決了現有技術中由于基板在機臺上因為靜電導致的斷路、短路不良以及損壞的技術問題。
本發明的技術方案是這樣實現的:
一種機臺,用于承載基板,包括:
本體;
銷孔,在厚度方向貫穿本體;
支撐銷,容納在銷孔中,可在厚度方向上下移動,支撐銷包括內置的腔,支撐銷可從腔中向本體上表面噴灑防靜電液。
優選的,還包括輸液管和儲液容器,輸液管與支撐銷的腔連通且其下端浸入儲液容器的防靜電液中,支撐銷的側壁上設置有用于噴灑防靜電液的通孔。
優選的,支撐銷為多個,多個支撐銷噴灑的防靜電液能覆蓋整個本體的上表面。
優選的,所述支撐銷為多個,輸液管包括輸液總管和與輸液總管連通的多個分支管,輸液總管的總輸入口通過開口與儲液容器連通,每個分支管的輸出口與一個支撐銷的腔連通。
優選的,儲液容器包括氣動控制輸液裝置,用于控制輸液管的防靜電液的噴灑。
優選的,氣動控制輸液裝置包括氣源、與氣源連通的輸氣管和控制氣體排放的電磁閥,輸氣管與儲液容器連通。
優選的,還包括靜電測試裝置和控制單元,靜電測試裝置用于測試本體和/或承載基板的靜電參數并傳送給控制單元,控制單元用于根據測得的靜電參數控制電磁閥的開閉和支撐銷的升降,從而控制防靜電液的噴灑。
優選的,還包括報警單元,與控制單元相連,當靜電參數超出閾值時,控制單元控制報警單元發出警示信息。
優選的,本體的上表面設置有凹陷,靜電測試裝置置于凹陷中。
優選的,靜電測試裝置測試的靜電參數為從第一設定電壓到第二設定電壓的靜電消散時間,其中第一設定電壓高于第二設定電壓。
優選的,控制單元還用于根據靜電參數的大小,分為多個級別,根據級別控制電磁閥的開啟時間和/或開啟檔位。
本發明的有益效果是:
本發明將支撐銷內部設置空腔,通過空腔向本體上表面噴灑防靜電液,使防靜電液在本體表面形成導電薄膜層,消除本體表面的靜電,達到徹底消除靜電的目的。
此外,支撐銷與裝有防靜電液的儲液容器相連,再將儲液容器與氣動控制輸液裝置相連接,通過控制氣體的電磁閥門,控制防靜電液的流量和噴灑時間,能有效消除摩擦等原因產生的靜電,防止靜電干擾及灰塵粘附現象。
同時在本體中還安裝靜電測試裝置,監控本體表面區域的靜電量,一旦超出設定的范圍內,將會出現報警,從而建立靜電報警與防靜電液噴出控制系統,能夠自動涂抹防靜電液,防靜電液的量和時間均可控,代替現有通過人工涂抹帶來的時間浪費和涂抹不均勻,使涂抹均勻,便捷。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發明現有技術中基板送入和送出時的狀態圖;
圖2為本發明的立體圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





