[發(fā)明專利]一種銅鋅錫硫硒(CZTSSe)薄膜的制備工藝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410618905.5
• 申請日: 2014-11-06
• 公開（公告）號: CN105576076A
• 公開（公告）日: 2016-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳玉梅
• 申請（專利權(quán)）人: 陳玉梅
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種銅鋅錫硫硒(CZTSSe)薄膜的制備工藝，其特征在于包括如下步驟：

（1）先在反應(yīng)容器中充入一定的惰性氣體，使反應(yīng)容器保持一定的氣壓，然后開始升溫；

（2）在280℃下反應(yīng)1ｈ，之后經(jīng)離心洗滌，將納米顆粒從反應(yīng)溶液中分離出來，在惰性環(huán)境下，烘干，分別得到兩種不同條件下的納米顆粒；

（3）將制得的CZTS納米晶粒溶于一定量的己硫醇中制成納米漿溶液，采用滴涂的方法在鈉鈣玻璃襯底上制得CZTS薄膜，并進(jìn)行硒化退火處理得到CZTSSe薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種銅鋅錫硫硒(CZTSSe)薄膜的制備工藝，其特征在于：所述步驟（2）中的烘干時間為2h。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種銅鋅錫硫硒(CZTSSe)薄膜的制備工藝，其特征在于：所述步驟（3）中的硒化退火處理是分別在溫度為350℃、400℃、450℃、500℃、550℃下進(jìn)行的。