[發明專利]半導體結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201410617923.1
• 申請日: 2014-11-05
• 公開（公告）號: CN105633152B
• 公開（公告）日: 2019-12-10
• 發明（設計）人: 李鎮全;呂水煙;吳彥良
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336
• 代理公司: 11105 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導體結構，包含有：

基底，該基底上具有一鰭狀結構；

柵極結構，跨越于部分該鰭狀結構上，其中該鰭狀結構被該柵極結構覆蓋的頂面定義為一第一頂面，該鰭狀結構未被該柵極結構覆蓋的頂面定義為一第二頂面，且該第一頂面高于該第二頂面；以及

間隙壁，覆蓋部分該柵極結構的側壁，該間隙壁包含有一內間隙壁以及一覆蓋于該內間隙壁外表面的外間隙壁，其中該外間隙壁還直接接觸該鰭狀結構的第二頂面。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其中該外間隙壁至少部分位于該內間隙壁以及該鰭狀結構之間。

3.如權利要求1所述的半導體結構，其中該內間隙壁有一底面與該第一頂面切齊。

4.如權利要求1所述的半導體結構，其中該外間隙壁有一底面與該第二頂面切齊。

5.如權利要求1所述的半導體結構，其中該鰭狀結構還包含有一第一側壁，該第一側壁位于該第一頂面與該第二頂面之間。

6.如權利要求5所述的半導體結構，其中該內間隙壁不直接接觸該第一側壁。

7.如權利要求5所述的半導體結構，其中該外間隙壁直接接觸該第一側壁。

8.如權利要求1所述的半導體結構，其中該基底至該第一頂面的高度為一第一高度，該基底至該第二頂面的高度為一第二高度，且該第二高度與該第一高度的比值為介于0.9～0.95之間。

9.一種半導體結構的制作方法，至少包含以下步驟：

提供一基底，基底上有一鰭狀結構，并有一柵極結構跨越該鰭狀結構，一內間隙壁形成于該柵極結構的兩側壁，此外該內間隙壁還部分覆蓋該鰭狀結構的一頂面上以及部分側壁；

對該鰭狀結構進行一縮減步驟，部分移除該鰭狀結構的頂面以及側壁，其中，縮減后的該鰭狀結構，未被該柵極結構覆蓋的頂面定義為一第二頂面，并產生一空隙位于該第二頂面以及該內間隙壁的一底面之間；以及

形成一外間隙壁，至少覆蓋于該第二頂面上以及該空隙中。

10.如權利要求9所述的方法，其中形成該內間隙壁的方法還包含：

全面性形成一介電層于該基底上、該鰭狀結構上以及該柵極結構上；以及

進行一蝕刻步驟，移除位于該柵極結構頂面的該介電層，并曝露該鰭狀結構。

11.如權利要求9所述的方法，其中還包括形成一外間隙壁于該第二頂面，以及被縮減后的鰭狀結構側壁。

12.如權利要求9所述的方法，其中該鰭狀結構被該柵極結構覆蓋的頂面定義為一第一頂面，且該內間隙壁的一底面與該第一頂面切齊。

13.如權利要求12所述的方法，其中該鰭狀結構還包含有一第一側壁，該第一側壁位于該第一頂面與該第二頂面之間，且該內間隙壁不直接接觸該第一側壁。

14.如權利要求13所述的方法，其中該外間隙壁直接接觸該第一側壁。

15.如權利要求9所述的方法，在該外間隙壁形成之后，還包括移除未被該柵極結構覆蓋的該鰭狀結構，并形成一凹槽，以及形成一外延層于該凹槽中。

16.如權利要求9所述的方法，其中該縮減步驟包含有一各向異性的干蝕刻步驟。

17.如權利要求16所述的方法，其中該縮減步驟后，該鰭狀結構的頂面被移除的厚度，大于該鰭狀結構的側壁被移除的厚度。