[發明專利]用于清潔和鈍化硫屬化物層的方法在審
| 申請號： | 201410616638.8 | 申請日： | 2014-11-05 |
| 公開（公告）號： | CN104637783A | 公開（公告）日： | 2015-05-20 |
| 發明（設計）人： | M·巴菲爾;M·繆里斯;G·布萊墨茨 | 申請（專利權）人： | IMEC公司;魯汶天主教大學;哈瑟爾特大學 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 郭輝 |
| 地址： | 比利*** | 國省代碼： | 比利時;BE |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 清潔 鈍化 硫屬化物層 方法 | ||
1.一種用于化學清潔和鈍化硫屬化物層的方法，其特征在于，所述方法包括使硫屬化物層和含硫化銨的環境接觸。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，使硫屬化物層和含硫化銨的環境接觸包括將硫屬化物層浸沒在含硫化銨的液體溶液中。
3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述液體溶液是1重量％-50重量％的硫化銨在水中的溶液。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，使硫屬化物層和含硫化銨的環境接觸包括將硫屬化物層置于含硫化銨蒸汽的環境中。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，硫屬化物層是硫屬化物半導體層。
6.一種用于制造光伏電池的方法，所述方法包括：在基片(10)上提供硫屬化物半導體層(12)；使硫屬化物半導體層(12)和含硫化銨((NH4)2S)的環境接觸，由此除去雜質和鈍化硫屬化物半導體層；和隨后在硫屬化物半導體層(12)上提供緩沖層(13)。
7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，使硫屬化物半導體層(12)和含硫化銨的環境接觸包括將硫屬化物半導體層(12)浸沒在含硫化銨的液體溶液中。
8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述液體溶液是1重量％-50重量％的硫化銨在水中的溶液。
9.如權利要求6所述的方法，其特征在于，使硫屬化物半導體層(12)和含硫化銨的環境接觸包括將硫屬化物半導體層(12)置于含硫化銨蒸汽的環境中。
10.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法還包括于提供硫屬化物半導體層(12)之前在基片(10)上提供背接觸層(11)，在緩沖層(13)頂部提供窗口層(14)，提供前接觸層(15)和提供前接觸網格(16)。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于IMEC公司;魯汶天主教大學;哈瑟爾特大學;，未經IMEC公司;魯汶天主教大學;哈瑟爾特大學;許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410616638.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：基板清洗方法、基板清洗系統
- 下一篇：反應腔結構及半導體等離子處理系統
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
