[發明專利]一種超導體薄片復合絕緣散熱膜的方法

有效

• 申請號: 201410610409.5
• 申請日: 2014-11-03
• 公開（公告）號: CN104404477A
• 公開（公告）日: 2015-03-11
• 發明（設計）人: 許少華
• 申請（專利權）人: 曾芳勤
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

[技術領域]

本發明涉及模切技術，尤其涉及一種超導體薄片復合絕緣散熱膜的方法。

[背景技術]

隨著電子行業的高速發展，很多電子產品，如手機，電腦，平板電視等領域的產品需要高端散熱功能，以保證產品高性能及輕、量、薄質感化。例如，手機電池和筆記本電池就需要將超導體薄片粘貼到電池表面上，以達到絕緣和快速散熱的作用。

這種超導體薄片通常采用石墨或石墨烯材料的薄片，通過模切平面成型加工再復膜，復合膜的面積大于薄片面積，成絕緣包邊的超導體薄片產品，再由電子企業利用組裝治具將超導體薄片產品粘在發熱電子部件上。

傳統模切業超導體薄片的加工制作方法，是將超導體薄片表面用專用復合機復上一層薄膜，從而達到絕緣快速導熱作用。因為超導體薄片需要快速導熱，所以對薄膜的厚度要求極高(越薄越好)，但傳統模切業超導體薄片的復膜工藝，薄膜最薄只能做到0.03mm，導熱系數只有1000W/mk，過厚的薄膜嚴重影響發熱電子器件的散熱速度。

[發明內容]

本發明要解決的技術問題是提供一種涂膜厚度小、超導體薄片導熱系數高的超導體薄片復合絕緣散熱膜的方法。

為了解決上述技術問題，本發明采用的技術方案是，一種超導體薄片復合絕緣散熱膜的方法，采用真空氣相沉積工藝將薄膜材料涂覆在超導體薄片的表面上。

以上所述的超導體薄片復合絕緣散熱膜的方法，所述的超導體薄片材料是石墨或石墨烯，所述的薄膜材料是二甲苯。

以上所述的超導體薄片復合絕緣散熱膜的方法，將待涂膜的超導體薄片切懸掛孔，用金屬線穿過超導體薄片的懸掛孔，將超導體薄片懸掛在氣相沉積反應爐中，薄膜材料經升華、裂解、氣化后進入氣相沉積反應爐中，沉積到超導體薄片的表面上。

以上所述的超導體薄片復合絕緣散熱膜的方法，所述的薄膜材料是聚對二甲苯，升華步驟的溫度是120℃-140℃，壓力是1.33Mpa-1.5Mpa；裂解步驟的溫度是650℃-750℃，壓力是1.33Mpa-1.5Mpa；氣化步驟的溫度是120℃-140℃，壓力是1.33Mpa-1.5Mpa；沉積涂層的步驟的溫度是25℃-28℃，真空度是10Pa-10^-1Pa。

以上所述的超導體薄片復合絕緣散熱膜的方法，涂膜過程中，氣相沉積反應爐保持在振動狀態。

本發明的方法涂膜厚度小，超導體薄片的導熱系數高，涂膜自動化程度高，可以減少手工作業，降低產品成本。

[附圖說明]

下面結合附圖和具體實施方式對本發明作進一步詳細的說明。

圖1是本發明實施例薄膜材料在氣相沉積反應爐中沉積到超導體薄片上的示意圖。

[具體實施方式]

本發明導體薄片復合絕緣散熱膜的方法，采用真空氣相沉積工藝將薄膜材料涂覆在超導體薄片的表面上。本發明可以根據客戶的需要選擇分子結構、薄膜材質、薄膜性能以及薄膜硬度，從而完成對電子元器件保護及特殊功能要求。

本發明的超導體薄片材料可以是石墨或石墨烯，薄膜材料是二甲苯。

通過模切平面成型加工的超導體薄片2切出懸掛孔，用金屬線3穿過超導體薄片的懸掛孔，將超導體薄片成串懸掛在氣相沉積反應爐1中，薄膜材料經升華、裂解、氣化后通過進料口101進入氣相沉積反應爐中，沉積到超導體薄片2的表面上。

本實施例的薄膜材料是聚對二甲苯(Parylene)，通過真空氣相沉積設備的離子器把聚對二甲苯升華、裂解(650℃/1.33Mpa)、氣化，升華步驟的溫度是120℃，壓力是1.33Mpa；裂解步驟的溫度是650℃，壓力是1.33Mpa；氣化步驟的溫度是120℃，壓力是1.33Mpa；

氣化后通過進料口101進入氣相沉積反應爐中，沉積到超導體薄片2的表面上。沉積涂層步驟的溫度是25℃，真空度是10Pa-10^-1Pa。

涂膜過程中，氣相沉積反應爐保持在振動或晃動狀態。以防止超導體薄片相互粘合。

本發明以上實施例通過對超導體表面極薄(最薄可以達到0.001mm以內)的涂膜，達到超導體薄片的導熱系數達到2000W/mk以上，而且涂膜自動化程度高，可以減少手工作業，降低成本。