[發(fā)明專利]一種超導體薄片復合絕緣散熱膜的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410610409.5 | 申請日: | 2014-11-03 |
| 公開(公告)號: | CN104404477A | 公開(公告)日: | 2015-03-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 許少華 | 申請(專利權(quán))人: | 曾芳勤 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 超導體 薄片 復合 絕緣 散熱 方法 | ||
1.一種超導體薄片復合絕緣散熱膜的方法,其特征在于,采用真空氣相沉積工藝將薄膜材料涂覆在超導體薄片的表面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超導體薄片復合絕緣散熱膜的方法,其特征在于,所述的超導體薄片材料是石墨或石墨烯,所述的薄膜材料是二甲苯。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超導體薄片復合絕緣散熱膜的方法,其特征在于,將待涂膜的超導體薄片切懸掛孔,用金屬線穿過超導體薄片的懸掛孔,將超導體薄片懸掛在氣相沉積反應(yīng)爐中,薄膜材料經(jīng)升華、裂解、氣化后進入氣相沉積反應(yīng)爐中,沉積到超導體薄片的表面上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的超導體薄片復合絕緣散熱膜的方法,其特征在于,所述的薄膜材料是聚對二甲苯,升華步驟的溫度是120℃-140℃,壓力是1.33Mpa-1.5Mpa;裂解步驟的溫度是650℃-750℃,壓力是1.33Mpa-1.5Mpa;氣化步驟的溫度是120℃-140℃,壓力是1.33Mpa-1.5Mpa;沉積涂層的步驟的溫度是25℃-28℃,真空度是10Pa-10-1Pa。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的超導體薄片復合絕緣散熱膜的方法,其特征在于,涂膜過程中,氣相沉積反應(yīng)爐保持在振動狀態(tài)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于曾芳勤,未經(jīng)曾芳勤許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410610409.5/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





