[發明專利]晶片剝離裝置有效
| 申請號: | 201410609721.2 | 申請日: | 2014-11-03 |
| 公開(公告)號: | CN104701215B | 公開(公告)日: | 2018-08-28 |
| 發明(設計)人: | 中村浩二郎;吉野道朗;古重徹 | 申請(專利權)人: | 松下知識產權經營株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 劉建 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 切片 晶片 托盤 晶片剝離 剝離 浸漬 噴射液體 側面 噴嘴 開口部 吸引口 粘接劑 積存 粘接 收容 配置 吸引 | ||
1.一種晶片剝離裝置,該晶片剝離裝置使借助粘接劑粘接于切片基座上的多個晶片從所述切片基座剝離,其特征在于,具備:
槽,其積存液體;
第一噴嘴,其朝向借助所述切片基座而浸漬于所述槽內的液體中的所述多個晶片的側面噴射液體;
托盤,其配置在所述槽內,且收容從所述切片基座剝離的晶片;
吸引口,其經由設于所述托盤的側面或者底面的開口部而吸引所述托盤內的液體。
2.根據權利要求1所述的晶片剝離裝置,其中,
所述吸引口配置在所述托盤的底面的開口部處。
3.根據權利要求1所述的晶片剝離裝置,其中,
所述吸引口配置在所述托盤的側面的開口部處。
4.根據權利要求1所述的晶片剝離裝置,其中,
還具有使從所述吸引口吸引的液體返回至所述槽內的循環口。
5.根據權利要求4所述的晶片剝離裝置,其中,
還具有設置在從所述吸引口至所述循環口的路徑上的過濾器。
6.根據權利要求1所述的晶片剝離裝置,其中,
還具有向所述粘接劑噴射水蒸氣的蒸氣噴嘴。
7.根據權利要求1所述的晶片剝離裝置,其中,
在所述槽內的液體中添加有乳酸。
8.根據權利要求1所述的晶片剝離裝置,其中,
還具有朝向從所述切片基座剝離了的晶片的主面噴射液體的第二噴嘴。
9.根據權利要求1所述的晶片剝離裝置,其中,
所述切片基座相對于所述槽內的液體的液面傾斜配置。
10.根據權利要求1至9中任一項所述的晶片剝離裝置,其中,
所述切片基座為多孔質體。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





