[發明專利]晶片剝離裝置有效
| 申請號: | 201410609721.2 | 申請日: | 2014-11-03 |
| 公開(公告)號: | CN104701215B | 公開(公告)日: | 2018-08-28 |
| 發明(設計)人: | 中村浩二郎;吉野道朗;古重徹 | 申請(專利權)人: | 松下知識產權經營株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 劉建 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 切片 晶片 托盤 晶片剝離 剝離 浸漬 噴射液體 側面 噴嘴 開口部 吸引口 粘接劑 積存 粘接 收容 配置 吸引 | ||
本發明提供一種對來自切片基座的晶片進行剝離的晶片剝離裝置。晶片剝離裝置將借助粘接劑粘接于切片基座的多個晶片從所述切片基座剝離,具備:積存液體的槽;朝向借助所述切片基座而浸漬于所述槽內的液體中的所述多個晶片的側面噴射液體的第一噴嘴;配置在所述槽內且收容從所述切片基座剝離了的晶片的托盤;經由設在所述托盤的側面或者底面的開口部而吸引所述托盤內的液體的吸引口。
技術領域
本發明涉及一種對粘接于切片基座上的晶片進行剝離的晶片剝離裝置。
背景技術
硅晶片等的晶片通過將被稱作錠的塊狀物切片而單張化來獲得。為了獲得晶片,首先將錠借助粘接劑固定在被稱作切片基座的保持體上。利用鋼絲鋸將固定于切片基座上的錠切片而成為晶片。然后,通過從切片基座剝離晶片而獲得晶片。
如圖1A所示,為了從切片基座50剝離多個晶片60,使粘接有多個晶片60的切片基座50浸漬于水15中,使將多個晶片60固定于切片基座50的粘接劑63軟化。由此,多個晶片60從切片基座50剝離。剝離后的晶片向托盤40落下而被回收。
另外,作為從切片基座剝離晶片的其他方法,報告有如下所述的方法:向將晶片粘接于切片基座的粘接劑噴射熱風而使粘接劑溶解(專利文獻1)。
在先技術文獻
專利文獻
專利文獻1:注冊實用新型第3149712號公報
發明概要
發明要解決的課題
然而,如圖1B所示,當從切片基座50剝離了的晶片向托盤40落下時,落下的晶片彼此碰撞、或者隨機重合,由此有時導致晶片破裂(參照附圖標記X)、或產生缺口(參照附圖標記Y)。此外,落下的晶片被隨機地收容在托盤40內,因此額外需要圖1C所示那樣的使晶片整齊排列的工序。如此,一直以來,存在如下所述的問題:晶片發生破裂或產生缺口,需要額外使隨機收容的晶片整齊排列。
另外,如專利文獻1所記載的那樣,當向粘接劑噴射熱風而使粘接劑溶解時,在晶片上附著有污漬,除去該污漬也很困難。
發明內容
對此,本發明的目的在于提供一種晶片剝離裝置,其能夠抑制晶片的破裂、缺口,并且能夠減少向晶片附著的污漬,并能夠將晶片整齊排列。
解決方案
本發明的晶片剝離裝置將借助粘接劑粘接于切片基座的多個晶片從所述切片基座剝離,其特征在于,具備:槽,其積存液體;第一噴嘴,其朝向借助所述切片基座而浸漬于所述槽內的液體中的所述多個晶片的側面噴射液體;托盤,其配置在所述槽內,且收容從所述切片基座剝離了的晶片;吸引口,其經由設于所述托盤的側面或者底面的開口部而吸引所述托盤內的液體。
發明效果
根據本剝離裝置,能夠抑制晶片的破裂、缺口,并且,能夠減少污漬,并使剝離后的晶片在托盤中整齊排列。
附圖說明
圖1是表示現有的晶片剝離方法的概要的圖。
圖2是表示獲得粘接有多個晶片的切片基座的工序的圖。
圖3中,圖3A是表示實施方式1的晶片剝離裝置的概要的圖,圖3B是表示實施方式2的晶片剝離裝置的概要的圖。
圖4是表示切片基座、第一噴嘴、第一輔助噴嘴、托盤、第二噴嘴、吸引口、蒸氣噴嘴之間的位置關系的示意圖。
圖5中,圖5A是托盤的立體圖,圖5B是托盤的分解圖。
圖6是表示實施方式1的晶片剝離方法的流程的圖。
圖7是表示實施方式2的晶片剝離方法的流程的圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





