[發(fā)明專利]基于低溫多晶硅半導體薄膜晶體管的GOA電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410609249.2
• 申請日: 2014-11-03
• 公開（公告）號: CN104464658B
• 公開（公告）日: 2016-11-16
• 發(fā)明（設計）人: 肖軍城
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G09G3/36
• 分類號: G09G3/36
• 代理公司: 深圳市德力知識產(chǎn)權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種基于低溫多晶硅半導體薄膜晶體管的GOA電路，其特征在于，包括級聯(lián)的多個GOA單元，設N為正整數(shù)，第N級GOA單元包括一上拉控制部分(100)、一上拉部分(200)、一第一下拉部分(400)、和一下拉維持電路部分(500)；

所述上拉控制部分(100)包括第一晶體管(T1)，其柵極與源極均電性連接于該第N級GOA單元的上一級第N-1級GOA單元的輸出端(G(N-1))，漏極電性連接于第一節(jié)點(Q(N))；

所述上拉部分(200)包括第二晶體管(T2)，其柵極電性連接于第一節(jié)點(Q(N))，源極電性連接于第一時鐘驅(qū)動信號(CKN)，漏極電性連接于輸出端(G(N))；

所述下拉維持電路部分(500)電性連接于所述第一節(jié)點(Q(N))、輸出端(G(N))、一直流恒壓高電位(H)、及第一、第二、與第三直流恒壓低電位(VSS1、VSS2、VSS3)；

所述下拉維持電路部分(500)采用高低電位反推設計，包括：

第三晶體管(T3)，所述第三晶體管(T3)的柵極和源極均電性連接于直流恒壓高電位(H)，漏極電性連接于第五晶體管(T5)的源極；

第四晶體管(T4)，所述第四晶體管(T4)的柵極電性連接于第三晶體管(T3)的漏極，源極電性連接于直流恒壓高電位(H)，漏極電性連接于第二節(jié)點(P(N))；

第五晶體管(T5)，所述第五晶體管(T5)的柵極電性連接于第一節(jié)點(Q(N))，源極電性連接于第三晶體管(T3)的漏極，漏極電性連接于第一直流恒壓低電位(VSS1)；

第六晶體管(T6)，所述第六晶體管(T6)的柵極電性連接于第一節(jié)點(Q(N))，源極電性連接于第二節(jié)點(P(N))，漏極電性連接于第八晶體管(T8)的柵極；

第七晶體管(T7)，所述第七晶體管(T7)的柵極電性連接于第一節(jié)點(Q(N))，源極電性連接于第二節(jié)點(P(N))，漏極電性連接于第八晶體管(T8)的源極；

第八晶體管(T8)，所述第八晶體管(T8)的柵極電性連接于第六晶體管(T6)的漏極，源極電性連接于第七晶體管(T7)的漏極，漏極電性連接于第三直流恒壓低電位(VSS3)；

第九晶體管(T9)，所述第九晶體管(T9)的柵極電性連接于第六晶體管(T6)的漏極，源極電性連接于第十晶體管(T10)的柵極，漏極電性連接于第三直流恒壓低電位(VSS3)；

第十晶體管(T10)，所述第十晶體管(T10)的柵極電性連接于第九晶體管(T9)的源極，源極電性連接于直流恒壓高電位(H)，漏極電性連接于第七晶體管(T7)的漏極；

第十一晶體管(T11)，所述第十一晶體管(T11)的柵極與源極均電性連接于直流恒壓高電位(H)，漏極電性連接于第九晶體管(T9)的源極；

第十二晶體管(T12)，所述第十二晶體管(T12)的柵極電性連接于第二節(jié)點(P(N))，源極電性連接于第一節(jié)點(Q(N))，漏極電性連接于第二直流恒壓低電位(VSS2)；

第十三晶體管(T13)，所述第十三晶體管(T13)的柵極電性連接于第二節(jié)點(P(N))，源極電性連接于輸出端(G(N))，漏極電性連接于第一直流恒壓低電位(VSS1)；

所述第三晶體管(T3)、第四晶體管(T4)、第五晶體管(T5)、第六晶體管(T6)、第七晶體管(T7)提供正向高電位，用于控制第十二晶體管(T12)和第十三晶體管(T13)的打開；所述第八晶體管(T8)、第九晶體管(T9)構成作用期間的負電位的反向自舉，用于在作用期間向第二節(jié)點(P(N))提供更低電位；利用直流恒壓高電位(H)在非作用期間向第二節(jié)點(P(N))提供適當?shù)母唠娢唬沟玫谝还?jié)點(Q(N))與輸出端(G(N))維持低電位；

所述第一下拉部分(400)電性連接于所述第一節(jié)點(Q(N))、第二時鐘驅(qū)動信號(XCKN)及第二直流恒壓低電位(VSS2)，所述第一下拉部分(400)依據(jù)第二時鐘驅(qū)動信號(XCKN)下拉所述第一節(jié)點(Q(N))的電位至所述第二直流恒壓低電位(VSS2)；

所述第一下拉部分(400)包括一第十四晶體管(T14)，所述第十四晶體管(T14)的柵極電性連接于第二時鐘驅(qū)動信號(XCKN)，源極電性連接于第一節(jié)點(Q(N))，漏極電性連接于第二直流恒壓低電位(VSS2)；

所述第三直流恒壓低電位(VSS3)<第二直流恒壓低電位(VSS2)<第一直流恒壓低電位(VSS1)。