[發(fā)明專利]一種TFT基板及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410608304.6
• 申請日: 2014-10-31
• 公開（公告）號: CN104393003A
• 公開（公告）日: 2015-03-04
• 發(fā)明（設計）人: 連水池;熊源
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳市威世博知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 何青瓦

技術領域

本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其是涉及一種TFT基板及其制造方法。

背景技術

曲面電視由于具有更出色的對比度、更廣泛的視角以及沉浸式體驗，為用戶提供更具深度的觀賞感受，因此其越來越受到人們的熱愛。

在曲面電視應用中，由于面板會有一定程度的彎曲，使得組成面板的TFT(薄膜晶體管，Thin?Film?Transistor)基板和CF(彩色濾光片，color?filter)基板之間會產(chǎn)生相對錯位，導致設置在CF基板上的黑色矩陣(Black?Matrix，BM)的光遮效果受到影響。具體請參閱圖1和圖2所示，其中，圖1是面板100沒有彎曲時，黑色矩陣101的遮光情況，圖2為面板100彎曲后，黑色矩陣101的遮光情況，由圖1和圖2可知，在面板100彎曲后，有部分光從黑色矩陣101旁邊射出，產(chǎn)生漏光現(xiàn)象，影響黑色矩陣101的光遮效果，從而會降低面板的對比度。

發(fā)明內容

本發(fā)明主要解決的技術問題是提供一種TFT基板及其制造方法，能夠在TFT基板組成的面板發(fā)生彎曲時，充分的遮住光線，減小透光效果，從而提高面板的對比度。

為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的一個技術方案是：提供一種基板的制造方法，該方法包括以下步驟：提供一基板；在基板上形成TFT結構；在基板上進一步形成色阻層，色阻層在TFT結構的對應位置形成第一開口區(qū)域；在第一開口區(qū)域內形成第一黑色矩陣，以由第一黑色矩陣覆蓋TFT結構；在色阻層和第一黑色矩陣上形成像素電極，像素電極經(jīng)第一黑色矩陣與TFT結構電連接。

其中，在基板上形成TFT結構的步驟還包括：在基板上形成電容電極，其中色阻層在電容電極的對應位置形成第二開口區(qū)域；在第一開口區(qū)域內形成第一黑色矩陣的步驟還包括：在第二開口區(qū)域內形成第二黑色矩陣，以由第二黑色矩陣覆蓋電容電極。

其中，電容電極包括第一電容電極和第二電容電極，在基板上形成TFT結構的步驟包括：在基板上形成柵電極以及與柵電極同層設置的掃描線和第一電容電極；在柵電極上依次形成第一絕緣層和有源層，第一絕緣層進一步覆蓋于掃描線和第一電容電極上，有源層未覆蓋于掃描線和第一電容電極上；在有源層上形成源電極和漏電極，并在第一電容電極上形成與源電極和漏電極同層設置的第二電容電極；在源極、漏極和第二電容電極上形成第二絕緣層，其中色阻層、第一黑色矩陣和第二黑色矩陣形成于第二絕緣層上，像素電極經(jīng)第一黑色矩陣和第二絕緣層與源電極和漏電極中的一者電連接，并進一步經(jīng)第二黑色矩陣和第二絕緣層與第二電容電極電連接。

其中，方法還包括：在第一黑色矩陣、第二黑色矩陣和色阻層與像素電極之間形成絕緣保護層。

其中，在第一開口區(qū)域內形成第一黑色矩陣的步驟包括：在第一黑色矩陣和第二絕緣層對應于源電極和漏電極中的一者的位置形成第一接觸孔，并在第二黑色矩陣和第二絕緣層對應于第二電容電極的位置形成第二接觸孔；在第一黑色矩陣、第二黑色矩陣和色阻層與像素電極之間形成絕緣保護層的步驟包括：在第一接觸孔和第二接觸孔內形成絕緣保護層；在第一接觸孔和第二接觸孔內的絕緣保護層分別形成第三接觸孔和第四接觸孔，其中像素電極通過第三接觸孔與源電極和漏電極中的一者電連接，并通過和第四接觸孔與第二電容電極電連接。

為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的另一個技術方案是：提供一種TFT基板，該TFT基板包括基板；TFT結構，設在基板上；色阻層，設置在基板上，其中，色阻層在TFT結構的對應位置形成第一開口區(qū)域；第一黑色矩陣，設置在第一開口區(qū)域內，以由第一黑色矩陣覆蓋TFT結構；像素電極，設置在色阻層和第一黑色矩陣上，像素電極經(jīng)第一黑色矩陣與TFT結構電連接。

其中，TFT基板還包括：電容電極，設置在基板上，其中色阻層在信號線的對應位置形成第二開口區(qū)域；第二黑色矩陣，設置在第二開口區(qū)域內，以由第二黑色矩陣覆蓋電容電極。

其中，電容電極包括第一電容電極和第二電容電極，TFT基板還包括：柵電極，設置在基板上；掃描線和第一電容電極，與柵電極同層設置；第一絕緣層和有源層，依次設置在柵電極上，其中，第一絕緣層進一步覆蓋于掃描線和第一電容電極上，有源層未覆蓋于掃描線和第一電容電極上；源電極和漏電極，設置在有源層上，第二電容電極，設置在第一電容電極上，并與源電極和漏電極同層設置；第二絕緣層，設置在源極、漏極和第二電容電極上，其中色阻層、第一黑色矩陣和第二黑色矩陣形成于第二絕緣層上，像素電極經(jīng)第一黑色矩陣和第二絕緣層與源電極和漏電極中的一者電連接，并進一步經(jīng)第二黑色矩陣和第二絕緣層與第二電容電極電連接。