[發明專利]一種TFT基板及其制造方法

在審

• 申請號: 201410608304.6
• 申請日: 2014-10-31
• 公開（公告）號: CN104393003A
• 公開（公告）日: 2015-03-04
• 發明（設計）人: 連水池;熊源
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 何青瓦

1.一種TFT基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

提供一基板；

在所述基板上形成TFT結構；

在所述基板上進一步形成色阻層，所述色阻層在所述TFT結構的對應位置形成第一開口區域；

在所述第一開口區域內形成第一黑色矩陣，以由所述第一黑色矩陣覆蓋所述TFT結構；

在所述色阻層和所述第一黑色矩陣上形成像素電極，所述像素電極經所述第一黑色矩陣與所述TFT結構電連接。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述基板上形成TFT結構的步驟還包括：

在所述基板上形成電容電極，其中所述色阻層在所述電容電極的對應位置形成第二開口區域；

所述在所述第一開口區域內形成第一黑色矩陣的步驟還包括：

在所述第二開口區域內形成第二黑色矩陣，以由所述第二黑色矩陣覆蓋所述電容電極。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述電容電極包括第一電容電極和第二電容電極，所述在所述基板上形成TFT結構的步驟包括：

在所述基板上形成柵電極以及與所述柵電極同層設置的掃描線和第一電容電極；

在所述柵電極上依次形成第一絕緣層和有源層，所述第一絕緣層進一步覆蓋于所述掃描線和所述第一電容電極上，所述有源層未覆蓋于所述掃描線和所述第一電容電極上；

在所述有源層上形成源電極和漏電極，并在所述第一電容電極上形成與所述源電極和漏電極同層設置的第二電容電極；

在所述源極、所述漏極和所述第二電容電極上形成第二絕緣層，其中所述色阻層、所述第一黑色矩陣和所述第二黑色矩陣形成于所述第二絕緣層上，所述像素電極經所述第一黑色矩陣和所述第二絕緣層與所述源電極和漏電極中的一者電連接，并進一步經所述第二黑色矩陣和所述第二絕緣層與所述第二電容電極電連接。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述第一黑色矩陣、第二黑色矩陣和色阻層與所述像素電極之間形成絕緣保護層。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述第一開口區域內形成第一黑色矩陣的步驟包括：

在所述第一黑色矩陣和所述第二絕緣層對應于所述源電極和漏電極中的所述一者的位置形成第一接觸孔，并在所述第二黑色矩陣和所述第二絕緣層對應于所述第二電容電極的位置形成第二接觸孔；

在所述第一黑色矩陣、第二黑色矩陣和色阻層與所述像素電極之間形成絕緣保護層的步驟包括：

在所述第一接觸孔和所述第二接觸孔內形成所述絕緣保護層；

在所述第一接觸孔和所述第二接觸孔內的所述絕緣保護層分別形成第三接觸孔和第四接觸孔，其中所述像素電極通過所述第三接觸孔與所述源電極和漏電極中的所述一者電連接，并通過和所述第四接觸孔與所述第二電容電極電連接。

6.一種TFT基板，其特征在于，所述TFT基板包括：

基板；

TFT結構，設在所述基板上；

色阻層，設置在所述基板上，其中，所述色阻層在所述TFT結構的對應位置形成第一開口區域；

第一黑色矩陣，設置在所述第一開口區域內，以由所述第一黑色矩陣覆蓋所述TFT結構；

像素電極，設置在所述色阻層和所述第一黑色矩陣上，所述像素電極經所述第一黑色矩陣與所述TFT結構電連接。

7.根據權利要求6所述的TFT基板，其特征在于，所述TFT基板還包括：

電容電極，設置在所述基板上，其中所述色阻層在所述電容電極的對應位置形成第二開口區域；

第二黑色矩陣，設置在所述第二開口區域內，以由所述第二黑色矩陣覆蓋所述電容電極。