[發(fā)明專利]一種MOSFET芯片布局結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410605123.8
• 申請日: 2014-10-31
• 公開（公告）號: CN104300001A
• 公開（公告）日: 2015-01-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 白玉明;劉峰;張海濤
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫同方微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/41;H01L29/423
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種MOSFET芯片布局結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述MOSFET芯片包括柵極焊盤、柵極金屬線及至少一組環(huán)形溝槽柵，每組環(huán)形溝槽柵至少包括兩條由內(nèi)而外依次環(huán)繞排列的環(huán)形溝槽柵；所述柵極金屬線將各環(huán)形溝槽柵并聯(lián)起來，并連接至所述柵極焊盤。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOSFET芯片布局結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述MOSFET芯片包括兩組環(huán)形溝槽柵，所述環(huán)形溝槽柵為跑道型，兩組環(huán)形溝槽柵的直線部分互相平行，且兩組環(huán)形溝槽柵的中心連線垂直所述環(huán)形溝槽柵的直線部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MOSFET芯片布局結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述柵極焊盤位于兩組環(huán)形溝槽柵第一端弧形部分之間的區(qū)域內(nèi)，所述柵極金屬線包括依次相連并圍成四方形的第一段、第二段、第三段及第四段，其中，所述柵極金屬線的第一段垂直連接兩組環(huán)形溝槽柵的每條直線部分，所述柵極金屬線的第二段及第三段靠近兩組環(huán)形溝槽柵外側(cè)并分別垂直連接于所述柵極金屬線的第一段兩端，所述柵極金屬線的第四段靠近兩組環(huán)形溝槽柵第一端，且兩端分別連接所述柵極金屬線的第二段及第三段；所述柵極焊盤連接于所述柵極金屬線的第四段內(nèi)側(cè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MOSFET芯片布局結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述柵極金屬線的第一段經(jīng)過兩組環(huán)形溝槽柵的中心連線。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOSFET芯片布局結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述MOSFET芯片包括一組環(huán)形溝槽柵，所述柵極焊盤位于所述環(huán)形溝槽柵內(nèi)部，所述柵極金屬線為直線型，所述柵極金屬線一端與所述柵極焊盤連接，另一端由內(nèi)而外依次并聯(lián)連接所有環(huán)形溝槽柵。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的MOSFET芯片布局結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述環(huán)形溝槽柵為跑道型，所述柵極金屬線并聯(lián)連接環(huán)形溝槽柵的直線部分。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的MOSFET芯片布局結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述環(huán)形溝槽柵為跑道型，所述柵極金屬線并聯(lián)連接環(huán)形溝槽柵的弧線部分。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的MOSFET芯片布局結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述柵極焊盤位于所述環(huán)形溝槽柵中心。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～8任意一項所述的MOSFET芯片布局結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述MOSFET芯片為縱向MOSFET，自下而上依次包括漏區(qū)、漂移區(qū)、溝道區(qū)及源區(qū)，所述環(huán)形溝槽柵從所述源區(qū)表面向下延伸至所述漂移區(qū)中。