[發明專利]芯片存儲單元擾碼地址的驗證方法有效
| 申請號： | 201410604604.7 | 申請日： | 2014-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN104409104B | 公開（公告）日： | 2018-02-06 |
| 發明（設計）人： | 吳苑 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | G11C29/56 | 分類號： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司31211 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 芯片 存儲 單元 地址 驗證 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種芯片存儲單元擾碼地址的驗證方法，其特征在于：包含如下步驟：
第一步，在芯片量產過程中，在線缺陷檢測中捕捉到存儲器內部的失效缺陷，或者利用聚焦離子束轟擊手段人為制造缺陷導致存儲器失效；
第二步，記錄失效芯片在晶圓上的地址及其失效缺陷在存儲單元內的物理地址；失效芯片的地址是指量產時劃片前具有缺陷的失效芯片在整個晶圓上的位置；失效缺陷的物理地址是指單個芯片上的一個或兩個以上的失效單元的存儲坐標地址；
第三步，繼續完成芯片的制造；
第四步，進行普通電學測試，得到失效單元的電學地址；
第五步，根據存儲器結構設計和測試原理編寫轉換公式得到物理失效地址；
第六步，將上述物理失效地址與第二步記錄的物理失效地址進行比對。
2.如權利要求1所述的芯片存儲單元擾碼地址的驗證方法，其特征在于：所述第二步中，失效芯片的地址是指量產時劃片前具有缺陷的失效芯片在整個晶圓上的地址；失效缺陷的物理地址是指單個芯片上的一個或兩個以上的失效單元的存儲坐標地址。
3.如權利要求1所述的芯片存儲單元擾碼地址的驗證方法，其特征在于：所述第六步中，如果比對的兩次失效地址一致，則證明轉換公式正確；如果不一致，則調整轉換公式，繼續判斷直到轉換公式正確。
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