[發(fā)明專利]一種真空腔室的充氣氣路及半導(dǎo)體加工設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410604096.2 | 申請(qǐng)日: | 2014-10-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105551995A | 公開(公告)日: | 2016-05-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張鵬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 100176 北京*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 空腔 充氣 半導(dǎo)體 加工 設(shè)備 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體設(shè)備制造技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種真空腔室 的充氣氣路及半導(dǎo)體加工設(shè)備。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域中,晶片的加工環(huán)境往往是高真空環(huán) 境,因此,為實(shí)現(xiàn)晶片在真空環(huán)境和大氣環(huán)境中的傳輸,則半導(dǎo)體 設(shè)備往往需要設(shè)置可充大氣和抽真空的過渡腔室。
圖1為半導(dǎo)體設(shè)備的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖,該半導(dǎo)體設(shè)備包括依次連接 的裝載腔室10、傳輸腔室11和工藝腔室12,且在相鄰兩個(gè)腔室之 間還設(shè)置有用于控制其連通或斷開的門閥13,其中,工藝腔室12 為晶片S加工所需的真空腔室,而裝載腔室10和傳輸腔室11均作 為晶片S在大氣環(huán)境和工藝腔室12的真空環(huán)境之間傳輸?shù)倪^渡腔 室;為滿足需求對(duì)完成抽真空的裝載腔室10和傳輸腔室11充大氣 采用充氣氣路14,如圖2所示,該充氣氣路14包括一條充氣主路 1和與裝載腔室10和傳輸腔室11一一對(duì)應(yīng)的兩條充氣支路2和3, 在充氣主路1設(shè)置有調(diào)壓閥PR,用于調(diào)節(jié)氮?dú)獾膲毫χ梁侠淼姆? 圍內(nèi);充氣支路2設(shè)置有氣動(dòng)閥V2,該氣動(dòng)閥V2用于控制其所 在氣路的通斷,并且,充氣支路2上氣動(dòng)閥V2的兩端并聯(lián)設(shè)置有 慢充旁路4,該慢充旁路4上沿氣體傳輸方向設(shè)置有氣動(dòng)閥V1和 針閥NV,氣動(dòng)閥V1用于控制該慢充旁路4的通斷,針閥NV用 于控制慢充旁路4的慢充速度。在裝載腔室10需要慢充時(shí)打開氣 動(dòng)閥V1且關(guān)閉氣動(dòng)閥V2,在其需要快充時(shí),打開氣動(dòng)閥V2且關(guān) 閉氣動(dòng)閥V1,在其不需要充氣時(shí),則同時(shí)關(guān)閉氣動(dòng)閥V1和V2。 由于每條充氣支路的結(jié)構(gòu)相同,如圖2所示,慢充旁路5對(duì)應(yīng)慢充 旁路4,因此,不再對(duì)傳輸腔室對(duì)應(yīng)的充氣支路3進(jìn)行描述,
然而,采用上述對(duì)裝載腔室和傳輸腔室充氣的氣路在實(shí)際應(yīng) 用中不可避免地會(huì)存在以下技術(shù)問題:由于每個(gè)充氣支路均包括氣 動(dòng)閥V1、V2和一個(gè)針閥NV,即每個(gè)充氣支路上設(shè)置有控制各個(gè) 充氣支路快充和慢充切換的閥,這使得整個(gè)充氣氣路的器件數(shù)量較 多,從而不僅造成結(jié)構(gòu)體積較大,而且還造成成本較高;并且,若 需要對(duì)更多個(gè)真空腔室充氣時(shí),則會(huì)更明顯地造成體積較大和成本 高的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題,提供了一種真空 腔室的充氣氣路及半導(dǎo)體加工設(shè)備,可以解決整個(gè)充氣氣路的器件 數(shù)量較多的技術(shù)問題,從而不僅可以減小結(jié)構(gòu)體積,而且還可以降 低成本;而且,在需要對(duì)更多個(gè)真空腔室充氣的情況下,可以更明 顯地減小體積和降低成本。
本發(fā)明提供一種真空腔室的充氣氣路,用于實(shí)現(xiàn)對(duì)至少兩個(gè)所 述真空腔室充氣,包括串聯(lián)的充氣主路和充氣支路,其中在所述充 氣主路上設(shè)置有第一通斷閥,所述第一通斷閥用于控制所述充氣主 路的通斷;在所述第一通斷閥的兩端并聯(lián)設(shè)置有慢充旁路,所述慢 充旁路上設(shè)置有節(jié)流閥,所述節(jié)流閥用于控制所述慢充旁路氣流量 來控制慢充的速度;并且所述充氣支路與所述真空腔室一一對(duì)應(yīng)連 通,在并聯(lián)的每條充氣支路上設(shè)置有第二通斷閥,所述第二通斷閥 用于控制其所在的所述充氣支路的通斷。
其中,在所述充氣主路上還設(shè)置有調(diào)壓閥,所述調(diào)壓閥位于所 述第一通斷閥的上游位置處。
其中,所述第一通斷閥和/或第二通斷閥為氣動(dòng)閥。
其中,所述節(jié)流閥為針閥。
本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體加工設(shè)備,其包括充氣氣路和依次通 過門閥相連接的裝載腔室、傳輸腔室、工藝腔室,所述充氣氣路用 于實(shí)現(xiàn)對(duì)所述裝載腔室和所述傳輸腔室充氣,所述充氣氣路采用本 發(fā)明提供上述真空腔室的充氣氣路。
其中,所述半導(dǎo)體加工設(shè)備為半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備或半導(dǎo)體沉積設(shè) 備。
其中,還包括卸載腔室,所述充氣氣路用于實(shí)現(xiàn)對(duì)所述裝載腔 室、所述傳輸腔室和所述卸載腔室充氣
本發(fā)明具有下述有益效果:
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





