[發明專利]一種真空腔室的充氣氣路及半導體加工設備在審
| 申請號： | 201410604096.2 | 申請日： | 2014-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN105551995A | 公開（公告）日： | 2016-05-04 |
| 發明（設計）人： | 張鵬 | 申請（專利權）人： | 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 空腔 充氣 半導體 加工 設備 | ||
1.一種真空腔室的充氣氣路，用于實現對至少兩個所述真空腔 室充氣，其特征在于，包括串聯的充氣主路和充氣支路，其中
在所述充氣主路上設置有第一通斷閥，所述第一通斷閥用于控 制所述充氣主路的通斷；
在所述第一通斷閥的兩端并聯設置有慢充旁路，所述慢充旁路 上設置有節流閥，所述節流閥用于控制所述慢充旁路氣流量來控制 慢充的速度；并且
所述充氣支路與所述真空腔室一一對應連通，在并聯的每條充 氣支路上設置有第二通斷閥，所述第二通斷閥用于控制其所在的所 述充氣支路的通斷。
2.根據權利要求1所示的真空腔室的充氣氣路，其特征在于， 在所述充氣主路上還設置有調壓閥，所述調壓閥位于所述第一通斷 閥的上游位置處。
3.根據權利要求1所示的真空腔室的充氣氣路，其特征在于， 所述第一通斷閥和/或第二通斷閥為氣動閥。
4.根據權利要求1所示的真空腔室的充氣氣路，其特征在于， 所述節流閥為針閥。
5.一種半導體加工設備，其包括充氣氣路和依次通過門閥相連 接的裝載腔室、傳輸腔室、工藝腔室，所述充氣氣路用于實現對所 述裝載腔室和所述傳輸腔室充氣，其特征在于，所述充氣氣路采用 上述權利要求1-4任意一項所述的真空腔室的充氣氣路。
6.根據權利要求5所述的半導體加工設備，其特征在于，所述 半導體加工設備為半導體刻蝕設備或半導體沉積設備。
7.根據權利要求5所述的半導體加工設備，其特征在于，還包 括卸載腔室，所述充氣氣路用于實現對所述裝載腔室、所述傳輸腔 室和所述卸載腔室充氣。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
