[發(fā)明專利]封裝組件制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410603661.3 | 申請日: | 2014-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN104409369B | 公開(公告)日: | 2019-05-07 |
| 發(fā)明(設計)人: | 譚小春;申屠軍立;葉佳明 | 申請(專利權)人: | 矽力杰半導體技術(杭州)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L21/58 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 310012 浙江省杭州市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 組件 制造 方法 | ||
1.一種制造封裝組件的方法,包括:
在基板上形成引線框,所述引線框包括多條引線,所述多條引線包括彼此相對的第一表面和第二表面,所述多條引線的第一表面暴露且第二表面與所述基板接觸,所述多條引線之間由溝槽隔開;
采用封裝料填充所述溝槽;
在所述引線框上形成重布線層,所述重布線層包括多條導體線,所述多條導體線在所述引線上橫向延伸并且包括彼此相對的第一表面和第二表面,其中所述多條導體線的第一表面接觸所述多條引線的第一表面,使得導電路徑橫向延伸;
在所述多條引線中的至少一組引線上的多條導體線上形成臺面;
在引線框上安裝多個層面的電子元件,使得至少一個層面的電子元件與所述多條引線中的至少另一組引線的第一表面電連接;以及
去除基板的至少一部分,使得所述多條引線的與第一表面相對的第二表面暴露用于外部連接。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法,其中,所述臺面的表面高于所述多條導體線第二表面,并且所述至少一組引線中的不同組引線上形成的臺面的表面高度不同,
其中,在安裝多個層面的電子元件的步驟中,至少另一個層面的電子元件與所述多條引線中的所述至少一組引線的第一表面電連接。
3.根據(jù)權利要求2所述的方法,其中,在安裝多個層面的電子元件的步驟中,所述至少一個層面的電子元件與至少另一組引線上的所述多條導體線的至少一組導體線的第二表面形成焊料互連,以及所述至少另一個層面的電子元件與所述臺面的表面形成焊料互連。
4.根據(jù)權利要求1所述的方法,其中形成引線框的步驟包括:
在基板上形成金屬層;以及
經(jīng)由包含引線圖案的掩模,通過蝕刻將金屬層圖案化成所述多條引線。
5.根據(jù)權利要求1所述的方法,其中形成引線框的步驟包括:
經(jīng)由包含引線互補圖案的掩模,通過在基板的暴露表面鍍敷金屬材料形成所述多條引線。
6.根據(jù)權利要求1所述的方法,其中形成引線框的步驟包括:
在基板上形成包含引線圖案的掩模;以及
通過蝕刻將基板的表層圖案化成所述多條引線。
7.根據(jù)權利要求1所述的方法,其中形成引線框的步驟包括:
通過沖壓將基板的表層圖案化成所述多條引線。
8.根據(jù)權利要求2所述的方法,其中在引線框上安裝多個層面的電子元件的步驟包括:
從鄰近引線框的第一層面開始,逐個層面安裝電子元件;以及
在安裝所有層面的電子元件之后,采用封裝料至少部分覆蓋引線框和電子元件,
其中,第一層面的電子元件與所述至少另一組引線中的一組引線的第一表面電連接,隨后層面的電子元件與所述至少一組引線中的相應組的引線的臺面電連接。
9.根據(jù)權利要求2所述的方法,其中在引線框上安裝多個層面的電子元件的步驟包括:
從鄰近引線框的第一層面開始,逐個層面安裝電子元件和采用封裝料至少部分覆蓋相應層面的電子元件,
其中,在安裝一個層面的電子元件之后和安裝下一個層面的電子元件之前,采用封裝料至少部分覆蓋所述一個層面的引線和電子元件,
第一層面的電子元件與所述至少另一組引線中的一組引線的第一表面電連接,隨后層面的電子元件與所述至少一組引線中的相應組的引線的臺面電連接。
10.根據(jù)權利要求9所述的方法,其中在安裝所述下一個層面的電子元件之前,還包括平整所述一個層面的封裝料以暴露所述下一個層面的引線的第一表面。
11.根據(jù)權利要求1所述的方法,在引線框上安裝多個層面的電子元件的步驟和去除基板的步驟之間,還包括:在封裝料的表面附加散熱片。
12.根據(jù)權利要求11所述的方法,在封裝料的表面附加散熱片之前,還包括:通過研磨來平整封封裝料并且減小封裝料的頂層的厚度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





