[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201410602989.3
• 申請日: 2011-05-25
• 公開（公告）號: CN104485313B
• 公開（公告）日: 2019-02-15
• 發明（設計）人: 楊慶榮;劉豫文;唐修敏;陳憲偉;楊宗穎;于宗源
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/28
• 分類號: H01L23/28;H01L23/31
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張浴月;金鵬

1.一種半導體裝置，包括：

一基板，包括一電路區和一密封環區，該密封環區圍繞該電路區；

一第一介電層，設置于該密封環區的上方，該第一介電層具有一底部和位于該底部上方的一頂部；

一第二介電層，設置于該第一介電層的上方，其中該第一介電層和該第二介電層具有不同的介電常數；

一密封環結構，內嵌于該第二介電層和該第一介電層之中，其中該密封環結構具有內嵌于該第一介電層的該底部的一第一部分以及內嵌于該第一介電層的該頂部和該第二介電層的一第二部分，其中該第一部分包括:

至少一第一金屬層，定義出該第一部分的一第一寬度；以及

至少一第一介層孔層，直接位于該至少一第一金屬層上，該至少一第一介層孔層的一介層孔具有一寬度，且該寬度小于該第一寬度；

該第二部分包括:

至少一第二金屬層，定義出該第二部分的一第二寬度；以及

至少一第二介層孔層，直接位于該至少一第二金屬層上，該至少一第二介層孔層的一介層孔具有一寬度，且該寬度小于該第二寬度，且該第一寬度小于該第二寬度；以及

一外部密封環結構，內嵌于該第二介電層和該第一介電層兩者之中，該外部密封環結構圍繞該密封環結構，且延伸至該第一介電層的該底部中。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該半導體裝置在該密封環結構和該電路區之間缺乏任何其他密封環結構。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，還包括多個金屬層，位于該密封環區中，其中該第二部分占據所述多個金屬層的最上三層金屬層。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，還包括多個金屬層，位于該密封環區中，其中該密封環結構和該外部密封環結構占據全部的所述多個金屬層。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，還包括多個金屬層，位于該密封環區中，其中該外部密封環結構占據所述多個金屬層的數量等于該密封環結構占據所述多個金屬層的數量。

6.如權利要求1所述的半導體裝置，還包括一內連線、一元件結構或一對準記號，位于該密封環區中，且位于該密封環結構下方。

7.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該外部密封環結構具有內嵌于該第一介電層的該頂部的一第三部分和內嵌于該第二介電層的一第四部分，其中該第三部分包括：

至少一第三金屬層，定義出該第三部分的一第三寬度；以及

至少一第三介層孔層，直接位于該至少一第三金屬層上，該至少一第三介層孔層的一介層孔具有一寬度，其中該寬度小于該第三寬度；

該第四部分包括：

至少一第四金屬層，定義出該第四部分的一第四寬度，其中該第三寬度等于該第四寬度。

8.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該密封環結構的該第二寬度大于或等于該外部密封環結構的寬度。