[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410602989.3
• 申請日: 2011-05-25
• 公開（公告）號: CN104485313B
• 公開（公告）日: 2019-02-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊慶榮;劉豫文;唐修敏;陳憲偉;楊宗穎;于宗源
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/28
• 分類號: H01L23/28;H01L23/31
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 張浴月;金鵬

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置。上述半導(dǎo)體裝置包括一基板，包括一電路區(qū)和一密封環(huán)區(qū)，該密封環(huán)區(qū)圍繞該電路區(qū)；一第一介電層，設(shè)置于該密封環(huán)區(qū)的上方，該第一介電層具有一底部和位于該底部上方的一頂部；一第二介電層，設(shè)置于該第一介電層的上方，其中該第一介電層和該第二介電層具有不同的介電常數(shù)；以及一密封環(huán)結(jié)構(gòu)，內(nèi)嵌于該第二介電層和該第一介電層的該頂部兩者之中，其中該密封環(huán)結(jié)構(gòu)并未延伸至該第一介電層的該底部中；以及一外部密封環(huán)結(jié)構(gòu)，內(nèi)嵌于該第二介電層和該第一介電層兩者之中，該外部密封環(huán)結(jié)構(gòu)圍繞該密封環(huán)結(jié)構(gòu)，且延伸至該第一介電層的該底部中。本發(fā)明可明顯地提升封裝工藝的良率。

本申請是申請?zhí)枮?01110148043.0、發(fā)明名稱為“半導(dǎo)體裝置”、申請日為2011年05月25日的發(fā)明專利申請的分案申請。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法，特別涉及一種密封環(huán)結(jié)構(gòu)及其形成方法，以保護集成電路芯片。

背景技術(shù)

在一集成電路(IC)工藝中，會先制造半導(dǎo)體晶片，每一個半導(dǎo)體晶片包括多個半導(dǎo)體芯片。制造半導(dǎo)體晶片之后，切割半導(dǎo)體晶片以分離出半導(dǎo)體芯片，以各別封裝每一個半導(dǎo)體芯片。

在切割和封裝工藝中，使用一密封環(huán)結(jié)構(gòu)以保護集成電路不受濕氣衰變、離子污染和損傷的影響。

在一些配置中，密封環(huán)結(jié)構(gòu)占據(jù)每一個半導(dǎo)體芯片的芯片面積的一巨大寬度。所以會減少每一個半導(dǎo)體芯片提供功能性電路的有效芯片面積。為了增加更多的有效芯片面積，必須增加每一個半導(dǎo)體芯片的芯片面積。因此，同一半導(dǎo)體晶片內(nèi)的芯片總數(shù)會變少，且每一個半導(dǎo)體芯片的成本會變高。

因此，在此技術(shù)領(lǐng)域中，有需要一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法，以滿足上述需求且克服公知技術(shù)的缺點。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明一實施例提供一種半導(dǎo)體裝置。上述半導(dǎo)體裝置包括一基板，包括一電路區(qū)和一密封環(huán)區(qū)，上述密封環(huán)區(qū)圍繞上述電路區(qū)。一密封環(huán)結(jié)構(gòu)，設(shè)置于上述密封環(huán)區(qū)的上方，上述密封環(huán)結(jié)構(gòu)具有一第一部分和位于上述第一部分上方的一第二部分，其中上述第一部分具有一寬度W1，上述第二部分具有一寬度W2，且上述寬度W1小于上述寬度W2。

本發(fā)明另一實施例提供一種半導(dǎo)體裝置。上述半導(dǎo)體裝置一基板，包括一電路區(qū)和一密封環(huán)區(qū)，上述密封環(huán)區(qū)圍繞上述電路區(qū)。一第一介電層，設(shè)置于上述密封環(huán)區(qū)的上方，上述第一介電層具有一底部和位于上述底部上方的一頂部。一第二介電層，設(shè)置于上述第一介電層的上方，其中上述第一介電層和上述第二介電層具有不同的介電常數(shù)。一密封環(huán)結(jié)構(gòu)，內(nèi)嵌于上述第二介電層和上述第一介電層的上述頂部兩者之中，其中上述密封環(huán)結(jié)構(gòu)并未延伸至上述第一介電層的上述底部中。

本發(fā)明又另一實施例提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。上述半導(dǎo)體裝置制造方法包括提供一基板，其具有一電路區(qū)和一密封環(huán)區(qū)。于上述密封環(huán)區(qū)的上方形成一第一介電層，上述第一介電層具有一底部和位于上述底部上方的一頂部。于上述第一介電層的上方形成一第二介電層，其中上述第一介電層和上述第二介電層具有不同的介電常數(shù)。形成一密封環(huán)結(jié)構(gòu)，內(nèi)嵌于上述密封環(huán)區(qū)中的上述第二介電層和上述第一介電層的上述頂部兩者之中。

本發(fā)明又再一實施例提供一種半導(dǎo)體裝置。上述半導(dǎo)體裝置包括一基板，包括一電路區(qū)和一密封環(huán)區(qū)，該密封環(huán)區(qū)圍繞該電路區(qū)；一第一介電層，設(shè)置于該密封環(huán)區(qū)的上方，該第一介電層具有一底部和位于該底部上方的一頂部；一第二介電層，設(shè)置于該第一介電層的上方，其中該第一介電層和該第二介電層具有不同的介電常數(shù)；以及一密封環(huán)結(jié)構(gòu)，內(nèi)嵌于該第二介電層和該第一介電層的該頂部兩者之中，其中該密封環(huán)結(jié)構(gòu)并未延伸至該第一介電層的該底部中；以及一外部密封環(huán)結(jié)構(gòu)，內(nèi)嵌于該第二介電層和該第一介電層兩者之中，該外部密封環(huán)結(jié)構(gòu)圍繞該密封環(huán)結(jié)構(gòu)，且延伸至該第一介電層的該底部中。