[發(fā)明專利]陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410602733.2
• 申請日: 2014-10-31
• 公開（公告）號: CN104393017B
• 公開（公告）日: 2017-12-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉政;陸小勇;李小龍;劉建宏;龍春平
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11138
• 代理人: 騰一斌

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置。

背景技術(shù)

有機電致發(fā)光顯示面板因其具有自發(fā)光、全固態(tài)、寬視角、響應(yīng)快等諸多優(yōu)點而被認(rèn)為在平板顯示中有著巨大的應(yīng)用前景，是繼液晶(LCD)、等離子(PDP)之后的新一代平板顯示產(chǎn)品。

傳統(tǒng)的有機電致發(fā)光顯示面板主要包括有機發(fā)光二極管(EL部分)和驅(qū)動薄膜晶體管兩部分，參見圖1，驅(qū)動薄膜晶體管主要包括形成在襯底基板1’上的有源層2’、柵極絕緣層3’、柵極4’、中間絕緣層5’、源漏極6’和平坦層7’，EL部分主要包括位于平坦層7’上的陽極層8’、像素定義層(PDL)9’、陰極層11’以及陽極層8’與陰極層11’之間的有機發(fā)光層10’，在有機電致發(fā)光顯示裝置的制作過程中，上述兩部分分別需要不同的制作工藝形成，其制作EL部分的有機發(fā)光二極管工藝需要在驅(qū)動薄膜晶體管工藝完成后進(jìn)行，且兩者的制作工藝也都較為復(fù)雜，從而造成了有機電致發(fā)光顯示面板的制作工藝步驟多、時間長，成本高的問題。

發(fā)明內(nèi)容

(一)要解決的技術(shù)問題

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是如何簡化有機電致發(fā)光面板的制作工序，降低制作成本。

(二)技術(shù)方案

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案提供了一種陣列基板的制作方法，包括：

在襯底基板上方形成第一金屬薄膜；

對所述第一金屬薄膜進(jìn)行圖案化處理，在所述襯底基板的第一區(qū)域上方形成陰極的圖形，在所述襯底基板的第二區(qū)域上方形成柵極的圖形。

進(jìn)一步地，所述在襯底基板上方形成第一金屬薄膜之前還包括:

在所述襯底基板的第二區(qū)域上方形成有源層的圖形、柵極絕緣層的圖形。

進(jìn)一步地，在對所述第一金屬薄膜進(jìn)行圖案化處理，在所述襯底基板的第一區(qū)域上方形成陰極的圖形，在所述襯底基板的第二區(qū)域上方形成柵極的圖形之后還包括：

形成絕緣層薄膜；

對所述絕緣層薄膜以及所述柵極絕緣層圖案化處理，在所述襯底基板的第一區(qū)域上方形成像素定義層的圖形，在所述有源層的源漏區(qū)域上方形成過孔。

進(jìn)一步地，所述絕緣層薄膜的厚度為

進(jìn)一步地，所述對所述絕緣層薄膜以及所述柵極絕緣層圖案化處理，在所述襯底基板的第一區(qū)域上方形成像素定義層的圖形，在所述有源層的源漏區(qū)域上方形成過孔之后還包括：

在所述襯底基板的第一區(qū)域上方形成有機發(fā)光層的圖形；

形成第二金屬薄膜，所述第二金屬薄膜通過所述過孔與所述有源層相接觸；

對所述第二金屬薄膜進(jìn)行圖案化處理，在所述襯底基板的第一區(qū)域上方形成陽極的圖形，在所述襯底基板的第二區(qū)域上方形成源極的圖形以及與所述陽極相連的漏極的圖形。

進(jìn)一步地，所述第二金屬薄膜的厚度為

進(jìn)一步地，所述第一金屬薄膜的材料為具有反光特性的金屬材料，所述第二金屬薄膜的材料為透明金屬材料。

進(jìn)一步地，所述第一金屬薄膜的厚度為

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括在襯底基板上呈矩陣排布的多個像素單元，每個像素單元包括薄膜晶體管結(jié)構(gòu)、陰極、陽極以及所述陰極與所述陽極之間的有機發(fā)光層，其中，所述陰極形成在所述襯底基板的第一區(qū)域上方，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的柵極形成在所述襯底基板的第二區(qū)域上方，所述陰極與所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的柵極為相同材料且在一次構(gòu)圖工藝中形成。

進(jìn)一步地，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的有源層、柵極絕緣層形成在所述柵極的下方，每個像素單元還包括形成在所述陰極上方的像素定義層以及形成在所述柵極上方的平坦層，所述像素定義層與所述平坦層為相同材料且在一次構(gòu)圖工藝中形成。

進(jìn)一步地，所述有機發(fā)光層形成在所述陰極的上方，所述陽極形成在所述有機發(fā)光層的上方，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的源極和漏極形成在所述平坦層的上方，所述陽極、所述源極和所述漏極為相同材料且在一次構(gòu)圖工藝中形成。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。

(三)有益效果

本發(fā)明通過一次構(gòu)圖工藝將發(fā)光二極管的陰極層與薄膜晶體管的柵極層同時形成在襯底基板的不同區(qū)域，能夠減少陣列基板制作工藝的復(fù)雜度和工藝時間，簡化有機電致發(fā)光面板的制作工序，降低制作成本。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的有機電致發(fā)光面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實施方式提供的一種陣列基板的制作方法的流程圖；