[發明專利]陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201410602733.2
• 申請日: 2014-10-31
• 公開（公告）號: CN104393017B
• 公開（公告）日: 2017-12-15
• 發明（設計）人: 劉政;陸小勇;李小龍;劉建宏;龍春平
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司11138
• 代理人: 騰一斌

1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上方形成第一金屬薄膜；

對所述第一金屬薄膜進行圖案化處理，在所述襯底基板的第一區域上方形成陰極的圖形，在所述襯底基板的第二區域上方形成柵極的圖形；

形成絕緣層薄膜；

對所述絕緣層薄膜以及所述柵極絕緣層圖案化處理，在所述襯底基板的第一區域上方形成像素定義層的圖形，在有源層的源漏區域上方形成過孔；

在所述襯底基板的第一區域上方形成有機發光層的圖形；

形成第二金屬薄膜；

對所述第二金屬薄膜進行圖案化處理，在所述襯底基板的第一區域上方形成陽極的圖形，在所述襯底基板的第二區域上方形成源極的圖形以及與所述陽極相連的漏極的圖形。

2.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在襯底基板上方形成第一金屬薄膜之前還包括:

在所述襯底基板的第二區域上方形成有源層的圖形、柵極絕緣層的圖形。

3.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述絕緣層薄膜的厚度為

4.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第二金屬薄膜通過所述過孔與所述有源層相接觸。

5.根據權利要求4所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第二金屬薄膜的厚度為

6.根據權利要求4所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第一金屬薄膜的材料為具有反光特性的金屬材料，所述第二金屬薄膜的材料為透明金屬材料。

7.根據權利要求1-6任一所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第一金屬薄膜的厚度為

8.一種陣列基板，包括在襯底基板上呈矩陣排布的多個像素單元，每個像素單元包括薄膜晶體管結構、陰極、陽極以及所述陰極與所述陽極之間的有機發光層，其特征在于，所述陰極形成在所述襯底基板的第一區域上方，所述薄膜晶體管結構的柵極形成在所述襯底基板的第二區域上方，所述陰極與所述薄膜晶體管結構的柵極為相同材料且在一次構圖工藝中形成；

每個像素單元還包括形成在所述陰極上方的像素定義層以及形成在所述柵極上方的平坦層，所述像素定義層與所述平坦層為相同材料且在一次構圖工藝中形成；

所述有機發光層形成在所述陰極的上方，所述陽極形成在所述有機發光層的上方，所述陽極和所述薄膜晶體管結構的源極和漏極為相同材料且在一次構圖工藝中形成。

9.根據權利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管結構的有源層、柵極絕緣層形成在所述柵極的下方。

10.根據權利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管結構的源極和漏極形成在所述平坦層的上方。

11.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求8-10任一所述的陣列基板。