[發明專利]半導體發光器件

有效

• 申請號: 201410602442.3
• 申請日: 2012-01-19
• 公開（公告）號: CN104465935B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 勝野弘;三木聰;岡俊行;布上真也
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/38
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所11247
• 代理人: 楊曉光,于靜

本申請是申請日為2012年1月19日、申請號為201210017796.2、發明名稱為“半導體發光器件”的專利申請的分案申請。

相關申請的交叉引用

本申請基于并要求2011年5月16日提交的在先的日本專利申請No.2011-109921的優先權，在此引入其整個內容作為參考。

技術領域

這里描述的實施例一般地涉及半導體發光器件。

背景技術

關于半導體發光器件，例如LED(發光二極管)，存在一種結構其中例如在藍寶石襯底上形成的晶體層與導電襯底接合，然后移除藍寶石襯底。在此結構中，為了增強光提取效率，對通過移除藍寶石襯底而暴露的晶體層的表面進行不平坦化處理。另外，還有一種結構，其中在將成為光提取面的晶體層的表面上沒有形成電極并且在與移除了藍寶石襯底的表面相對的晶體平面上形成p側電極和n側電極。在這樣的發光器件中，要求通過增強散熱性能進一步提高光提取效率。

發明內容

一般地，根據一個實施例，一種半導體發光器件包括層疊結構體、第一電極、第二電極以及介電體部件。所述層疊結構體包括第一導電類型的第一半導體層，所述第一半導體層具有第一部分和在與所述第一半導體層的層表面平行的面中與所述第一部分并置的第二部分、在所述第二部分上提供的發光層、在所述發光層上提供的第二導電類型的第二半導體層。所述第一電極包括設置在所述第一部分上并與所述第一半導體層接觸的接觸部件。所述第二電極包括第一部件和第二部件，所述第一部件設置在所述第二半導體層上并與所述第二半導體層接觸，所述第二部件與所述第一部件電連接并包括當從所述第一半導體層向所述第二半導體層的層疊方向看時覆蓋所述接觸部件的部分。所述介電體部件被設置在所述接觸部件和所述第二部件之間。

附圖說明

圖1為示出了半導體發光器件的示意截面圖；

圖2為示出了半導體發光器件的示意平面圖；

圖3A和3B是局部放大圖，每一個都示出了不平坦部件；

圖4為示出了根據參考實例的半導體發光器件的示意截面圖；

圖5A到7B為順序示出了半導體發光器件的制造方法的示意截面圖；

圖8為示出了半導體發光器件的示意截面圖；

圖9為示出了半導體發光器件的示意平面圖；

圖10為示出了半導體發光器件的示意平面圖；以及

圖11為示出了半導體發光裝置的示意截面圖。

具體實施方式

下文中將參考附圖描述不同的實施例。

附圖是示意性的或概念性的；每部分的厚度和寬度之間的關系，以及每部分之間的尺寸比例等等不必與實際值相同。另外，在圖中，相同的部分可能顯示不同的尺寸和比例。

(第一實施例)

圖1是示出了根據第一實施例的半導體發光器件的配置的示意截面圖。

圖2是示出了根據所述第一實施例的半導體發光器件的配置的示意平面圖。

這里，圖1示出了沿圖2中的線A-A’的示意截面圖。

如圖1所示，根據第一實施例的半導體發光器件110包括層疊結構體100、第一電極50、第二電極60以及第一介電體部件40。

層疊結構體100包括第一導電類型的第一半導體層10，與第一半導體層10的一部分面對的第二導電類型的第二半導體層20以及在第一半導體層10和第二半導體層20的一部分之間提供的發光層30。

第一導電類型是，例如，n型。第二導電類型是，例如，p型。第一導電類型可以是p型并且第二導電類型可以是n型。在實施例中，以第一導電類型是n型并且第二導電類型是p型的情況為例。

層疊結構體100在第一半導體層10一側具有第一主表面100a并且在第二半導體層20一側面具有第二主表面100b。另外，第一半導體層10的一部分被暴露到第二主表面100b側。該部分是第一半導體層10的暴露部件10e。

第一電極50包括與在暴露部件10e處的第一半導體層10接觸的接觸部件51。第二電極60在第二主表面100b處與第二半導體層20接觸。

第二電極60包括在第二主表面100b處與第二半導體層20接觸的第一部件61以及第二部件62，第二部件62與第一部件61電連接并包括沿從第一半導體層10向第二半導體層20的層疊方向看時覆蓋接觸部件51的部分。

這里，在實施例中，Z-軸方向指連接第一半導體層10和第二半導體層20的方向，X-軸方向指與Z-軸方向正交的兩個方向中的一個方向，Y-軸方向指正交于Z和X-軸方向的方向。層疊方向沿Z-軸方向。