[發(fā)明專利]半導體發(fā)光器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410602442.3
• 申請日: 2012-01-19
• 公開（公告）號: CN104465935B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 勝野弘;三木聰;岡俊行;布上真也
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/38
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所11247
• 代理人: 楊曉光,于靜

1.一種半導體發(fā)光器件包括：

層疊結(jié)構(gòu)體，包括：

第一導電類型的第一半導體層，具有第一部分和第二部分，所述第二部分在平行于所述第一半導體層的層表面的面中與所述第一部分并置，

在所述第二部分上提供的發(fā)光層，以及

在所述發(fā)光層上提供的第二導電類型的第二半導體層；

所述層疊結(jié)構(gòu)體具有在所述第一半導體層一側(cè)的第一主表面和在所述第二半導體層一側(cè)的第二主表面，

所述層疊結(jié)構(gòu)體具有從所述第二主表面到達所述第一半導體層的凹面部件，

第一電極，包括接觸部件和過孔部件，所述接觸部件設(shè)置在所述第一部分上并與所述凹面部件中的所述第一半導體層接觸，所述過孔部件與所述接觸部件的一部分電連接，所述過孔部件從所述接觸部件的所述一部分朝向與所述層疊結(jié)構(gòu)體的所述第一半導體層相反的一側(cè)延伸；

第二電極，包括：

第一部件，設(shè)置在所述第二半導體層上并與所述第二半導體層接觸，所述第一部件對所述光是反射的，以及

第二部件，與所述第一部件電連接并包括當從所述第一半導體層向所述第二半導體層的層疊方向看時覆蓋所述接觸部件的另一部分的部分；

介電體部件，設(shè)置在所述接觸部件和所述第二部件之間，所述介電體部件包括嵌入在所述凹面部件中的部分，所述介電體部件在所述第一電極和所述第二電極之間以及在所述第一半導體層和所述第二半導體層之間絕緣；以及

襯墊電極，與所述第一電極的所述過孔部件電連接，所述襯墊電極位于與所述層疊結(jié)構(gòu)體的所述第一半導體層相反的一側(cè)；

所述介電體部件的一部分位于所述接觸部件的所述另一部分與所述第二部件之間，

當從所述層疊方向看時所述第二電極的覆蓋所述發(fā)光層的區(qū)域的面積大于接觸所述第一半導體層的所述接觸部件的面積。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中

所述發(fā)射層發(fā)射光，以及

從所述第一主表面離開到外部的光的量大于從所述第二主表面離開的光的量。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中

所述第一半導體層包括在所述第一主表面上提供的不平坦部件，以及

所述不平坦部件具有比從所述發(fā)光層發(fā)射的光的峰值波長更長的節(jié)距。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中所述第二電極包括鍍敷金屬。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中所述發(fā)光層發(fā)射的所述光的峰值波長不小于370納米且不大于400納米。