[發明專利]基板處理設備在審
| 申請號: | 201410602068.7 | 申請日: | 2014-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN104600003A | 公開(公告)日: | 2015-05-06 |
| 發明(設計)人: | 黃修敏;盧亨來 | 申請(專利權)人: | 細美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 呂琳;楊生平 |
| 地址: | 韓國忠清*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 設備 | ||
技術領域
本發明涉及一種基板處理設備,更詳細地說,涉及一種執行涂敷、顯影、烘烤工序的基板處理設備。
背景技術
一般來說,半導體元件用制造裝置通過在基板上形成規定的膜,并將該膜形成為具有電特性的圖案而進行制造。圖案通過依次或反復地執行膜形成、照相平板印刷(photolithogrphy)、蝕刻、洗滌等單元工序而形成。
在此,照相平板印刷工序由以下工序構成,即包括:在硅基板上涂敷形成光刻膠膜的涂敷工序;在形成有該光刻膠膜的基板上利用掩膜來進行選擇性曝光的曝光工序;對該曝光后的光刻膠膜進行顯影而形成微細電路圖案的顯影工序;以及在涂敷工序、曝光工序以及顯影工序后分別進行的烘烤工序。
用于執行照相平板印刷工序的設備被區分為:具備執行涂敷工序的涂敷處理區域、執行顯影工序的顯影處理區域以及執行烘烤工序的烘烤處理區域的設備,以及執行曝光工序的獨立的曝光設備。執行涂敷、顯影、烘烤工序的照相平板印刷設備為了提高移送基板的效率,在一側以復層方式區分配置有涂敷處理區域和顯影處理區域,而在與其相向的一側配置有烘烤處理區域。在各層獨立地設置有執行基板移送的機械手(robot)。
但是,這樣的結構在提高設備的運轉率方面存在局限性。例如,配置在執行顯影處理的層的1個搬運機械手處理由緩沖-曝光后烘烤-冷卻-顯影-硬性烘烤-冷卻-緩沖構成的7個步驟。因此,配置在1個層的搬運機械手被施加較大的負荷,由此造成設備生產效率降低。
發明內容
本發明要解決的技術問題
本發明的實施例提供一種基板處理設備,該設備具有能分散搬運機器手的負荷的布局。
本發明的實施例提供一種基板處理設備,該設備能選擇性地執行正型顯影工序和負型顯影工序,從而提高基板生產量。
本發明的目的不限于此,根據以下的記載,本領域技術人員應能清楚地理解尚未言及的其它目的。
技術方案
根據本發明的一個側面,提供一種基板處理設備,包括:指引部,其具有放置裝有基板的容器的端口以及指引機器手;工序處理部,其具有顯影處理部,其中所述顯影處理部中相互分層地配置有對基板進行顯影工序的第1顯影處理室和第2顯影處理室;以及第1路徑部,其配置于所述顯影處理部與所述指引部之間。其中,所述第1顯影處理室包括:顯影模塊;第1加熱模塊;以及第1主搬運機器手,其配置于能靠近所述顯影模塊和所述第1加熱模塊的移動通路上。其中,所述第1路徑部包括:第2加熱模塊;第1緩沖模塊;冷卻模塊;第2緩沖模塊;以及第1緩沖搬運機器手,其配置于能靠近所述第2加熱模塊、所述第1緩沖模塊、所述冷卻模塊以及所述第2緩沖模塊的移動通路上。
此外,所述第1緩沖模塊和所述冷卻模塊可以配置在所述第1主搬運機器手和所述第1緩沖搬運機器手都能靠近的位置。
此外,所述第1緩沖模塊和所述冷卻模塊可以層疊配置在所述第1主搬運機器手的移動通路與所述第1緩沖搬運機器手的移動通路之間。
此外,所述第1主搬運機器手的移動通路可以沿水平方向提供,所述第1緩沖搬運機器手的移動通路可以沿垂直方向提供。
此外,所述第1加熱模塊可以是曝光后烘烤(PEB:Post?Exposure?Bake)模塊。
此外,所述第2加熱模塊可以是硬性烘烤(H/B:Hard?Bake)模塊。
此外,所述第1顯影處理室的顯影模塊僅為執行正型顯影的正型顯影模塊和執行負型顯影的負型顯影模塊中的任一種,所述第2顯影處理室的顯影模塊僅為執行正型顯影的正型顯影模塊和執行負型顯影的負型顯影模塊中的另一種。
此外,所述第1顯影處理室的個數可以比所述第2顯影處理室的個數少。
此外,所述工序處理部還可以包括:涂敷處理部,其以分層地方式配置有對基板執行光刻膠涂敷工序的涂敷處理室,其中,所述涂敷處理部可以與所述顯影處理部分層配置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





