[發(fā)明專利]基板處理裝置以及方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410601825.9
• 申請(qǐng)日: 2014-10-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104602436A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-05-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張龍守;洪性煥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 細(xì)美事有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H05H1/46
• 分類(lèi)號(hào): H05H1/46;H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 舒艷君;李洋

1.一種基板處理裝置，其特征在于，具有：

在內(nèi)部形成有空間的工序腔室；

配置于上述工序腔室內(nèi)，并支承基板的基板支承單元；

配置于上述基板支承單元的上部，并形成有多個(gè)狹縫的天線板；

配置于上述天線板的下部，并使微波向上述工序腔室內(nèi)部空間擴(kuò)散以及透過(guò)的介電板；以及

配置于上述介電板與上述基板支承單元之間的高度，并向上述工序腔室內(nèi)供給氣體的氣體供給單元，

上述氣體供給單元具有：

配置于第一高度，并供給第一氣體的第一噴射單元；以及

配置于比上述第一高度低的第二高度，并供給與上述第一氣體不同的第二氣體的第二噴射單元。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述第一噴射單元噴射激發(fā)氣體,

上述第二噴射單元噴射工序氣體。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述第一噴射單元在其內(nèi)側(cè)形成有多個(gè)第一氣體噴射孔,

上述第二噴射單元在其內(nèi)側(cè)形成有多個(gè)第二氣體噴射孔，

上述第一噴射單元以及上述第二噴射單元分別由圈形狀構(gòu)成。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于，

將透過(guò)上述介電板的微波的波長(zhǎng)為λ時(shí),

上述介電板與上述第一氣體噴射孔之間的距離為1/8λ～3/8λ。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于，

將透過(guò)上述介電板的微波的波長(zhǎng)為λ時(shí),

上述第一氣體噴射孔與上述第二氣體噴射孔之間的距離為1/8λ～3/8λ。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于，

將透過(guò)上述介電板的微波的波長(zhǎng)為λ時(shí),

上述第二氣體噴射孔與配置于上述基板支承單元的上部的基板之間的距離為3/8λ～5/8λ。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板處理裝置，其特征在于，

將透過(guò)上述介電板的微波的波長(zhǎng)為λ時(shí),

上述第一氣體噴射孔與上述第二氣體噴射孔之間的距離為1/8λ～3/8λ,

上述第二氣體噴射孔與配置于上述基板支承單元的上部的基板之間的距離為3/8λ～5/8λ。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于，

將透過(guò)上述介電板的微波的波長(zhǎng)為λ時(shí),

上述介電板與上述第一氣體噴射孔之間的距離以及上述第一氣體噴射孔與上述第二氣體噴射孔之間的距離為1/4λ,

上述第二氣體噴射孔與上述基板支承單元之間的距離為2/4λ。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述介電板與上述基板支承單元之間的距離為120mm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述氣體供給單元包括第三噴射單元,

上述第三噴射單元配置成噴射清洗氣體。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述第三噴射單元配置于上述第二噴射單元的下部。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述第一噴射單元在其內(nèi)側(cè)形成有多個(gè)第一氣體噴射孔,

上述第二噴射單元在其內(nèi)側(cè)形成有多個(gè)第二氣體噴射孔,

上述第三噴射單元在其內(nèi)側(cè)形成有多個(gè)第三氣體噴射孔,

上述第一噴射單元、上述第二噴射單元以及上述第三噴射單元分別形成為圈形狀。

13.根據(jù)權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于，

還包括使微波的波長(zhǎng)變短、并配置于上述天線板的上部的波長(zhǎng)縮短板。

14.一種基板處理方法，其特征在于，

利用權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，

在工序進(jìn)行時(shí)，上述工序腔室內(nèi)的壓力在50m?Torr以上。

15.一種基板處理方法，其特征在于，

利用權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，

上述第二噴射單元噴射包含氫氣體的工序氣體。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的基本處理方法，其特征在于，

氫氣體量在上述工序腔室內(nèi)的總氣體量的20％以上。