[發(fā)明專利]基板處理裝置以及方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410601825.9
• 申請日: 2014-10-31
• 公開（公告）號: CN104602436A
• 公開（公告）日: 2015-05-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張龍守;洪性煥
• 申請（專利權(quán)）人: 細(xì)美事有限公司
• 主分類號: H05H1/46
• 分類號: H05H1/46;H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 舒艷君;李洋

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及基板處理裝置以及方法，更詳細(xì)而言涉及利用等離子體來處理基板的裝置以及方法(APPARATUS?AND?METHOD?FOR?TREATING?SUBSTRATE)。

背景技術(shù)

等離子體是指通過很高的溫度、強電場或高頻電磁場(RF?Electromagnetic?Fields)生成，并且由離子或電子、自由基等構(gòu)成的離子化的氣體狀態(tài)。半導(dǎo)體元件制作工序使用等離子體來執(zhí)行薄膜蒸鍍工序。薄膜蒸鍍工序是通過等離子體所含有的離子粒子在基板上蒸鍍成薄膜而執(zhí)行。

一般而言，等離子體處理裝置向腔室內(nèi)分別供給工序氣體以及等離子體激發(fā)氣體，并通過從天線板施加的高頻電力來將工序氣體激發(fā)成等離子體狀態(tài)。在腔室的內(nèi)側(cè)面設(shè)有供給工序氣體的工序氣體噴射孔以及供給等離子體激發(fā)氣體的激發(fā)氣體噴射孔。工序氣體噴射孔以及激發(fā)氣體噴射孔在同一高度位置交替排列。

然而，在將不同的氣體從同一高度位置噴射時，若介電板與基板支承單元的距離在一定距離以下，則由于越靠近介電板，電子溫度越高，所以為了防止基板損壞，而使用低功率，因此無法生成高密度的等離子體，并且若介電板與基板支承單元的距離在一定距離以上，則由于為了生成基板的均勻的膜，而使用高功率，因此發(fā)生介電板的損傷。另外，在執(zhí)行一定壓力以上或包含氫氣的工序處理時，基板處理性能下降。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供能夠形成高密度的等離子體的基板處理裝置以及方法。

此外，本發(fā)明提供能夠防止介電板的損傷的基板處理裝置以及方法。

此外，本發(fā)明提供能夠防止在一定壓力以上的工序或者包含氫氣體的工序中工序性能下降的基板處理裝置以及方法。

本發(fā)明所要解決的技術(shù)課題不限于此，關(guān)于沒有提到的其他課題，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可從下述記載明確理解。

本發(fā)明提供基板處理裝置。根據(jù)一實施例，基板處理裝置包括在內(nèi)部形成有空間的工序腔室；配置于上述工序腔室內(nèi)，并支承基板的基板支承單元；配置于上述基板支承單元的上部，并形成有多個狹縫的天線板；配置于上述天線板的下部，并使微波向上述工序腔室內(nèi)部空間擴散以及透過的介電板；以及配置于上述介電板與上述基板支承單元之間的高度，并向上述工序腔室內(nèi)供給氣體的氣體供給單元；上述氣體供給單元具有配置于第一高度，并供給第一氣體的第一噴射單元；以及配置于比上述第一高度低的第二高度，并供給與上述第一氣體不同的第二氣體的第二噴射單元。

此外，上述第一噴射單元噴射激發(fā)氣體，上述第二噴射單元噴射工序氣體。

根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，基板處理裝置中，上述氣體供給單元包括第三噴射單元，上述第三噴射單元配置成噴射清洗氣體。

此外，上述第三噴射單元配置于上述第二噴射單元的下部。

此外，本發(fā)明提供基板處理方法。根據(jù)一實施例，基板處理方法利用上述基板處理裝置，在工序進行時上述工序腔室內(nèi)的壓力在50mTorr以上。

根據(jù)另一實施例，基板處理方法利用上述基板處理裝置，上述第二噴射單元噴射包含氫氣體的工序氣體。

此外，氫氣體量在上述工序腔室內(nèi)的總氣體量的20％以上。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，由于包含惰性氣體的激發(fā)氣體在比工序氣體高的位置噴射，因此能夠防止介電板的損傷。因此能夠與介電板在一定距離內(nèi)噴射激發(fā)氣體，因此能夠形成高密度的等離子體。

此外，根據(jù)本發(fā)明的實施例，能夠防止在一定壓力以上的工序或包含氫氣體的工序中工序性能的下降。

附圖說明

圖1為表示本發(fā)明的一實施例的基板處理裝置的剖視圖。

圖2為表示圖1的氣體供給單元的立體圖。

圖3為表示圖1的天線板的俯視圖。

圖4為表示本發(fā)明的另一實施例的基板處理裝置的剖視圖。

附圖標(biāo)記說明

10，20:基板處理裝置????????W:基板

100:工序腔室?????????200:基板支承單元

300:氣體供給單元????????400:微波施加單元

500:天線板??????????600:波長縮短板

700:介電板

具體實施方式

以下，參照附圖對本發(fā)明的實施例進行更詳細(xì)的說明。本發(fā)明的實施例可變形為各種方式，不得解釋為本發(fā)明的范圍限定于以下的實施例。本實施例是為了對本領(lǐng)域具有普通知識的技術(shù)人員更完整地說明本發(fā)明而提供的。因此為了強調(diào)更明確的說明，圖中的要素形狀有所夸大。

圖1為表示本發(fā)明的一實施例的基板處理裝置10的剖視圖。