[發明專利]一種響應波長可調的紫外探測器在審
| 申請號: | 201410601733.0 | 申請日: | 2014-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN105633193A | 公開(公告)日: | 2016-06-01 |
| 發明(設計)人: | 郭麗偉;陳小龍;趙萌;王文軍 | 申請(專利權)人: | 中國科學院物理研究所 |
| 主分類號: | H01L31/109 | 分類號: | H01L31/109;H01L31/0336 |
| 代理公司: | 北京和信華成知識產權代理事務所(普通合伙) 11390 | 代理人: | 胡劍輝 |
| 地址: | 100190 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 響應 波長 可調 紫外 探測器 | ||
技術領域
本發明涉及一種響應波長可調的基于AlxGa1-xN上石墨烯的紫外探測器 及其制備方法,屬于光電器件技術領域。
背景技術
紫外探測技術是一項軍民兩用光電探測技術,在紫外制導、生化分析、 臭氧探測等方面都有廣泛的應用前景,尤其是日盲區(200nm–280nm)的 探測,可以在追蹤和探測目標時降低背景光通量的影響,提高信噪比和報警 準確率。目前應用較多的紫外探測器利用的是光電倍增管,但卻受限于體積 龐大、工作電壓高等缺點,而半導體激光器則因其功耗低、體積小的優勢成 為當今人們的研究熱點。
Ⅲ族氮化物作為寬禁帶直接帶隙半導體材料,具有高飽和電子漂移速 率、高熱導率、抗腐蝕等諸多優良的特點,在光電子器件領域有重要的應用 價值。AlxGa1-xN作為AlN與GaN的固溶體,可以通過調節Al組分x值(x 可為0到1之間的任意值)使得帶隙在3.4eV–6.2eV連續可調,其帶隙對 應的激發波長范圍覆蓋紫光波段到深紫外波段,利用這個特點可以實現對紫 外波段的選擇性探測。
石墨烯是由單層碳原子緊密堆積而成的二維蜂窩狀晶體材料,具有優異 的熱學、力學和光電性能、大的比表面積、大的載流子遷移率以及良好的工 藝兼容性。因此,石墨烯被認為在后硅時代將會創造更多的輝煌。
將AlxGa1-xN具有紫外吸收波長可調的優勢與石墨烯高載流子遷移率的 優勢完美結合而設計的器件結構,將提供一種器件結構簡單、波長可調、靈 敏度高的紫外探測器。其器件工藝與現有技術兼容性好,有潛在的應用前景。
發明內容
鑒于當前紫外探測技術的發展現狀,本發明所要解決的技術問題是提供 一種器件工藝簡單、靈敏度高的基于AlxGa1-xN上石墨烯的新型紫外探測器 及其制備方法。本發明充分利用了紫外光可以在寬帶隙AlxGa1-xN合金半導 體中產生大量的光生載流子、該載流子在界面電場的作用下快速轉移到石墨 烯中,并引起石墨烯中光電流響應的優勢,與現有半導體工藝技術兼容性好, 有利于工業化生產。
一種響應波長可調的基于AlxGa1-xN上石墨烯的紫外探測器,該探測器 包括支撐襯底(1),所述支撐襯底(1)上形成有AlxGa1-xN(2),所述 AlxGa1-xN(2)上形成有石墨烯層(3),以及在所述石墨烯層(3)上形成 有兩端探測電極(4),另外在所述兩端探測電極(4)上分別具有超聲鍵合 的電極引線(5)。
進一步地,所述支撐襯底(1)是藍寶石,SiC、GaN或AlN,以及其它 適合AlxGa1-xN生長的襯底。
進一步地,所述AlxGa1-xN層(2)上的所述石墨烯層(3)的層數在10 層以下。
進一步地,還包括一個具有通光窗口的封裝殼體,所述電極引線(5) 與封裝殼體的電極相連,紫外光可以通過通光窗口照射到所述AlxGa1-xN層 (2)和所述石墨烯層(3)上。
進一步地,所述兩端探測電極(4)是簡單的一組或多組兩端電極,或 者是一組或多組的叉指電極以及其它類似的電極。
本發明的優點在于:本發明提供的AlxGa1-xN上石墨烯的紫外探測器, 充分利用了AlxGa1-xN對紫外光的高效吸收、界面處的界面電場對載流子的 快速轉移和石墨烯中載流子的快速遷移的諸多優勢,且其器件工藝與現有工 藝兼容性好,易于工業化應用。
附圖說明
圖1:基于AlxGa1-xN上石墨烯的紫外探測器的結構示意圖。其中(1)為支 撐襯底,(2)為AlxGa1-xN層,(3)為石墨烯層,(4)為兩端探測電極, (5)為電極上的引線。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院物理研究所,未經中國科學院物理研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410601733.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





