[發明專利]一種響應波長可調的紫外探測器在審
| 申請號: | 201410601733.0 | 申請日: | 2014-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN105633193A | 公開(公告)日: | 2016-06-01 |
| 發明(設計)人: | 郭麗偉;陳小龍;趙萌;王文軍 | 申請(專利權)人: | 中國科學院物理研究所 |
| 主分類號: | H01L31/109 | 分類號: | H01L31/109;H01L31/0336 |
| 代理公司: | 北京和信華成知識產權代理事務所(普通合伙) 11390 | 代理人: | 胡劍輝 |
| 地址: | 100190 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 響應 波長 可調 紫外 探測器 | ||
1.一種響應波長可調的基于AlxGa1-xN上石墨烯的紫外探測器,該探測 器包括支撐襯底(1),所述支撐襯底(1)上形成有AlxGa1-xN(2),所述 AlxGa1-xN(2)上形成有石墨烯層(3),以及在所述石墨烯層(3)上形成 有兩端探測電極(4),另外在所述兩端探測電極(4)上分別具有超聲鍵合 的電極引線(5)。
2.根據權利要求1所述的紫外探測器,其特征在于,所述支撐襯底(1) 可以是藍寶石,SiC、GaN或AlN,以及其它適合AlxGa1-xN生長的襯底。
3.根據權利要求1所述的紫外探測器,其特征在于,所述AlxGa1-xN的 Al組分x值介于0和1之間。
4.根據權利要求1或3所述的紫外探測器,其特征在于,所述AlxGa1-xN 層(2)上的所述石墨烯層(3)的層數在10層以下。
5.根據權利要求1所述的紫外探測器,其特征在于,還包括一個具有 通光窗口的封裝殼體,所述電極引線(5)與封裝殼體的電極相連,紫外光 可以通過通光窗口照射到所述AlxGa1-xN層(2)和所述石墨烯層(3)上。
6.根據權利要求1所述的紫外探測器,其特征在于,所述兩端探測電 極(4)是簡單的一組或多組兩端電極,或者是一組或多組的叉指電極以及 其它類似的電極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





