[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410598459.6
• 申請(qǐng)日: 2014-10-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104600052A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-05-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 德光成太;森隆弘;新田哲也
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/498
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/498;H01L25/16;H01L23/522
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 權(quán)太白;謝麗娜

1.一種半導(dǎo)體裝置，

包括：多個(gè)第1配線(xiàn)層，配置在基板的主表面上；

第1絕緣膜，配置為覆蓋多個(gè)所述第1配線(xiàn)層的上表面；

第2絕緣膜，配置為覆蓋所述第1絕緣膜的上表面；

多個(gè)第2配線(xiàn)層，配置在所述第2絕緣膜上；

金屬電阻元件層，配置在所述第1絕緣膜的上表面上且配置在多個(gè)所述第2配線(xiàn)層中的至少一個(gè)所述第2配線(xiàn)層的正下方；以及

多個(gè)導(dǎo)電層，分別從多個(gè)所述第2配線(xiàn)層沿與所述主表面交叉的方向朝向所述金屬電阻元件層延伸，

所述金屬電阻元件層包括金屬配線(xiàn)層，

多個(gè)所述導(dǎo)電層中的至少一個(gè)所述導(dǎo)電層的側(cè)面的至少一部分與所述金屬配線(xiàn)層連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述金屬配線(xiàn)層具有沿著所述主表面的第1面和與所述第1面相對(duì)的第2面，

多個(gè)所述導(dǎo)電層中的至少一個(gè)與所述金屬配線(xiàn)層連接的所述導(dǎo)電層是配置在與所述金屬配線(xiàn)層在平面上重疊的金屬電阻元件區(qū)域的電阻元件區(qū)域?qū)щ妼樱?/p>

所述電阻元件區(qū)域?qū)щ妼訌乃龅?面到所述第2面貫通所述金屬配線(xiàn)層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述電阻元件區(qū)域?qū)щ妼右詮亩鄠€(gè)所述第2配線(xiàn)層中的配置在所述金屬電阻元件區(qū)域的至少一個(gè)所述第2配線(xiàn)層貫通所述金屬配線(xiàn)層并到達(dá)多個(gè)所述第1配線(xiàn)層中的配置在所述金屬電阻元件區(qū)域的至少一個(gè)所述第1配線(xiàn)層的方式連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述金屬電阻元件區(qū)域中的所述電阻元件區(qū)域?qū)щ妼雍驮诓皇撬鼋饘匐娮柙^(qū)域的配線(xiàn)區(qū)域中從多個(gè)所述第2配線(xiàn)層中的至少一個(gè)所述第2配線(xiàn)層延伸成到達(dá)多個(gè)所述第1配線(xiàn)層中的至少一個(gè)所述第1配線(xiàn)層的配線(xiàn)區(qū)域?qū)щ妼樱谂c所述主表面交叉的方向上的深度相等。

5.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

至少一個(gè)第1配線(xiàn)層，配置在基板的主表面上；

第1絕緣膜，配置為覆蓋多個(gè)所述第1配線(xiàn)層的上表面；

第2配線(xiàn)層，在所述第1絕緣膜上配置有多個(gè)；

金屬電阻元件層，配置為在與所述主表面交叉的方向上比多個(gè)所述第2配線(xiàn)層靠所述第1配線(xiàn)層側(cè)，并且配置在多個(gè)所述第2配線(xiàn)層中的至少一個(gè)所述第2配線(xiàn)層的正下方；以及

多個(gè)導(dǎo)電層，分別從多個(gè)所述第2配線(xiàn)層沿與所述主表面交叉的方向朝向所述金屬電阻元件層延伸，

多個(gè)所述導(dǎo)電層中的至少一個(gè)所述導(dǎo)電層是電阻元件區(qū)域?qū)щ妼樱撾娮柙^(qū)域?qū)щ妼优渲糜谂c所述金屬電阻元件層在平面上重疊的金屬電阻元件區(qū)域，并且以從多個(gè)所述第2配線(xiàn)層中的配置在所述金屬電阻元件區(qū)域的至少一個(gè)所述第2配線(xiàn)層到達(dá)所述金屬電阻元件層的方式連接，

多個(gè)所述導(dǎo)電層中的至少一個(gè)所述導(dǎo)電層是配線(xiàn)區(qū)域?qū)щ妼樱撆渚€(xiàn)區(qū)域?qū)щ妼釉诓皇撬鼋饘匐娮柙^(qū)域的配線(xiàn)區(qū)域中從多個(gè)所述第2配線(xiàn)層中的至少一個(gè)所述第2配線(xiàn)層延伸成到達(dá)至少一個(gè)所述第1配線(xiàn)層，

所述電阻元件區(qū)域?qū)щ妼雍退雠渚€(xiàn)區(qū)域?qū)щ妼釉谂c所述主表面交叉的方向上的深度相等。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述第1絕緣膜包括將至少一個(gè)所述第1配線(xiàn)層的上表面以及形成至少一個(gè)所述第1配線(xiàn)層的表面這雙方覆蓋的薄膜絕緣層，

所述金屬電阻元件層形成為覆蓋所述薄膜絕緣層的上表面。

7.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

多個(gè)第1配線(xiàn)層，配置在基板的主表面上；

第1絕緣膜，配置為覆蓋多個(gè)所述第1配線(xiàn)層的上表面；

至少一個(gè)金屬電阻元件層，以覆蓋所述第1絕緣膜的上表面的方式配置在多個(gè)所述第1配線(xiàn)層中的至少一個(gè)所述第1配線(xiàn)層的正上方；

多個(gè)第2配線(xiàn)層，配置在所述第1絕緣膜上；以及

多個(gè)導(dǎo)電層，分別從至少一個(gè)所述金屬電阻元件層以及至少一個(gè)所述第2配線(xiàn)層沿與所述主表面交叉的方向延伸到多個(gè)所述第1配線(xiàn)層的各所述第1配線(xiàn)層，

至少一個(gè)所述金屬電阻元件層的上表面被多個(gè)所述第2配線(xiàn)層中的至少一個(gè)覆蓋。