[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201410598459.6
• 申請日: 2014-10-30
• 公開（公告）號: CN104600052A
• 公開（公告）日: 2015-05-06
• 發明（設計）人: 德光成太;森隆弘;新田哲也
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L25/16;H01L23/522
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 權太白;謝麗娜

1.一種半導體裝置，

包括：多個第1配線層，配置在基板的主表面上；

第1絕緣膜，配置為覆蓋多個所述第1配線層的上表面；

第2絕緣膜，配置為覆蓋所述第1絕緣膜的上表面；

多個第2配線層，配置在所述第2絕緣膜上；

金屬電阻元件層，配置在所述第1絕緣膜的上表面上且配置在多個所述第2配線層中的至少一個所述第2配線層的正下方；以及

多個導電層，分別從多個所述第2配線層沿與所述主表面交叉的方向朝向所述金屬電阻元件層延伸，

所述金屬電阻元件層包括金屬配線層，

多個所述導電層中的至少一個所述導電層的側面的至少一部分與所述金屬配線層連接。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述金屬配線層具有沿著所述主表面的第1面和與所述第1面相對的第2面，

多個所述導電層中的至少一個與所述金屬配線層連接的所述導電層是配置在與所述金屬配線層在平面上重疊的金屬電阻元件區域的電阻元件區域導電層，

所述電阻元件區域導電層從所述第1面到所述第2面貫通所述金屬配線層。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，

所述電阻元件區域導電層以從多個所述第2配線層中的配置在所述金屬電阻元件區域的至少一個所述第2配線層貫通所述金屬配線層并到達多個所述第1配線層中的配置在所述金屬電阻元件區域的至少一個所述第1配線層的方式連接。

4.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，

所述金屬電阻元件區域中的所述電阻元件區域導電層和在不是所述金屬電阻元件區域的配線區域中從多個所述第2配線層中的至少一個所述第2配線層延伸成到達多個所述第1配線層中的至少一個所述第1配線層的配線區域導電層，在與所述主表面交叉的方向上的深度相等。

5.一種半導體裝置，包括：

至少一個第1配線層，配置在基板的主表面上；

第1絕緣膜，配置為覆蓋多個所述第1配線層的上表面；

第2配線層，在所述第1絕緣膜上配置有多個；

金屬電阻元件層，配置為在與所述主表面交叉的方向上比多個所述第2配線層靠所述第1配線層側，并且配置在多個所述第2配線層中的至少一個所述第2配線層的正下方；以及

多個導電層，分別從多個所述第2配線層沿與所述主表面交叉的方向朝向所述金屬電阻元件層延伸，

多個所述導電層中的至少一個所述導電層是電阻元件區域導電層，該電阻元件區域導電層配置于與所述金屬電阻元件層在平面上重疊的金屬電阻元件區域，并且以從多個所述第2配線層中的配置在所述金屬電阻元件區域的至少一個所述第2配線層到達所述金屬電阻元件層的方式連接，

多個所述導電層中的至少一個所述導電層是配線區域導電層，該配線區域導電層在不是所述金屬電阻元件區域的配線區域中從多個所述第2配線層中的至少一個所述第2配線層延伸成到達至少一個所述第1配線層，

所述電阻元件區域導電層和所述配線區域導電層在與所述主表面交叉的方向上的深度相等。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，

所述第1絕緣膜包括將至少一個所述第1配線層的上表面以及形成至少一個所述第1配線層的表面這雙方覆蓋的薄膜絕緣層，

所述金屬電阻元件層形成為覆蓋所述薄膜絕緣層的上表面。

7.一種半導體裝置，包括：

多個第1配線層，配置在基板的主表面上；

第1絕緣膜，配置為覆蓋多個所述第1配線層的上表面；

至少一個金屬電阻元件層，以覆蓋所述第1絕緣膜的上表面的方式配置在多個所述第1配線層中的至少一個所述第1配線層的正上方；

多個第2配線層，配置在所述第1絕緣膜上；以及

多個導電層，分別從至少一個所述金屬電阻元件層以及至少一個所述第2配線層沿與所述主表面交叉的方向延伸到多個所述第1配線層的各所述第1配線層，

至少一個所述金屬電阻元件層的上表面被多個所述第2配線層中的至少一個覆蓋。