[發(fā)明專利]存儲器單元、電路以及制造存儲器單元的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410598228.5
• 申請日: 2014-10-30
• 公開（公告）號: CN104600075B
• 公開（公告）日: 2018-03-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: F·拉羅薩;S·尼埃爾;J·德拉洛;A·雷尼耶
• 申請（專利權(quán)）人: 意法半導(dǎo)體(魯塞)公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L29/788;H01L29/423
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所11256
• 代理人: 王茂華

1.一種存儲器單元，包括：

垂直選擇柵極，在被制作于半導(dǎo)體襯底中的溝槽中延伸；

浮置柵極，在所述襯底上延伸；

水平控制柵極，在所述浮置柵極上方延伸，其中所述浮置柵極具有在所述襯底的上表面下方延伸的突起，并且所述突起被設(shè)置在所述溝槽的側(cè)壁和所述垂直選擇柵極的相鄰的側(cè)壁之間；以及

第一介電層，定位在所述襯底內(nèi)，并且在所述浮置柵極的所述突起與所述垂直選擇柵極之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器單元，其中所述第一介電層包括覆蓋所述溝槽的壁的較薄區(qū)域和鄰近所述襯底的上表面的較厚區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器單元，其中所述突起在所述襯底的在所述介電層的所述較厚區(qū)域內(nèi)的表面的下方延伸，并且具有與所述垂直選擇柵極的一部分相對的面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器單元，包括：

垂直溝道區(qū)域，與所述選擇柵極相對延伸；以及

嵌入層，形成收集源極平面，用于收集用于對形成在相同襯底上的所述存儲器單元和其他存儲器單元進(jìn)行編程的編程電流，所述嵌入層電耦合至所述垂直溝道區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器單元，包括：

第二介電層，覆蓋所述控制柵極和所述浮置柵極的側(cè)壁并且在所述垂直選擇柵極上方垂直延伸；以及

電接觸件，沿所述第二介電層垂直延伸并且與所述垂直選擇柵極相接觸。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器單元，其中所述浮置柵極在所述垂直選擇柵極的一部分的上方延伸從第一平面到第二平面的非零重疊距離，所述第一平面與所述浮置柵極的側(cè)邊緣對準(zhǔn)并且延伸通過所述垂直選擇柵極的內(nèi)部，所述第二平面與所述垂直選擇柵極的側(cè)邊緣對準(zhǔn)。

7.一種電路，包括：

第一存儲器單元，其包括在半導(dǎo)體襯底上延伸的第一浮置柵極和在所述第一浮置柵極上方延伸的第一水平控制柵極，其中所述第一浮置柵極具有在所述襯底的上表面下方延伸的第一突起；以及

第二存儲器單元，其包括在半導(dǎo)體襯底上延伸的第二浮置柵極和在所述第二浮置柵極上方延伸的第二水平控制柵極，其中所述第二浮置柵極具有在所述襯底的上表面下方延伸的第二突起；

垂直選擇柵極，在所述襯底中的溝槽中并且在所述第一突起和所述第二突起之間延伸，所述第一突起和所述第二突起中的每個突起被設(shè)置在所述溝槽的側(cè)壁和所述垂直選擇柵極的相鄰的側(cè)壁之間；

第一介電層部分，定位在所述襯底內(nèi)，并且在所述第一突起與所述垂直選擇柵極的第一側(cè)之間；以及

第二介電層部分，定位在所述襯底內(nèi)，并且在所述第二突起與所述垂直選擇柵極的第二側(cè)之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路，其中所述第一介電層部分和所述第二介電層部分是第一介電層的部分，所述第一介電層包括覆蓋所述溝槽的壁的較薄區(qū)域和鄰近所述襯底的上表面的第一較厚區(qū)域和第二較厚區(qū)域。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電路，其中所述第一突起在所述襯底的在所述第一介電層的所述第一較厚區(qū)域內(nèi)的表面的下方延伸，并且具有與所述垂直選擇柵極的第一部分相對的面，而所述第二突起在所述襯底的在所述第一介電層的所述第二較厚區(qū)域內(nèi)的表面的下方延伸，并且具有與所述垂直選擇柵極的第二部分相對的面。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路，包括：

第一垂直溝道區(qū)域，與所述垂直選擇柵極的第一側(cè)相對延伸；

第二垂直溝道區(qū)域，與所述垂直選擇柵極的第二側(cè)相對延伸；以及

嵌入層，形成收集源極平面，用于收集用于對形成在相同襯底上的所述存儲器單元和其他存儲器單元進(jìn)行編程的編程電流，所述嵌入層電耦合至所述第一垂直溝道區(qū)域和所述第二垂直溝道區(qū)域。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路，包括：

第二介電層，覆蓋所述第一控制柵極和所述第一浮置柵極的側(cè)壁并且在所述垂直選擇柵極上方垂直延伸；

第三介電層，覆蓋所述第二控制柵極和所述第二浮置柵極的側(cè)壁并且在所述垂直選擇柵極上方垂直延伸；以及

電接觸件，沿所述第二介電層和所述第三介電層并且在所述第二介電層和所述第三介電層之間垂直延伸，并且與所述垂直選擇柵極相接觸。