[發(fā)明專利]一種超臨界流體低溫硒化制備CIGS薄膜的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410597998.8
• 申請日: 2014-10-31
• 公開（公告）號: CN104362218A
• 公開（公告）日: 2015-02-18
• 發(fā)明（設計）人: 徐東;仁昌義
• 申請（專利權）人: 徐東
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C23C24/08
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350
• 代理人: 湯東鳳

1.一種超臨界流體低溫硒化制備CIGS薄膜的方法，其特征在于，包括以下步驟：

將氯化亞銅、氯化銦、氯化鎵與硒粉混合后加入烷基胺中反應，得到CIGS納米晶；?

將所述CIGS納米晶與有機溶劑混合分散，得到CIGS納米晶墨水，將基板浸漬在所述CIGS納米晶墨水中，并浸漬提拉進行涂膜，干燥后得到涂膜基板；?

將所述涂膜基板與超臨界流體溶液分開置于密閉環(huán)境中，加熱處理，使所述超臨界流體溶液蒸發(fā)形成超臨界流體與涂膜基板充分接觸進行硒化反應，得到CIGS薄膜。

2.根據權利要求1所述的超臨界流體低溫硒化制備CIGS薄膜的方法，其特征在于，制備所述CIGS納米晶的具體方法為：

在惰性氣氛中，將氯化亞銅、氯化銦和氯化鎵與硒粉混合后加入烷基胺，得到混合物，除去水和氧氣，升溫至220～300℃攪拌下反應1～4h后，冷卻至室溫，得到懸浮液，對所述懸浮液進行分離提純，得到CIGS納米晶。

3.根據權利要求1所述的超臨界流體低溫硒化制備CIGS薄膜的方法，其特征在于，在制備CIGS納米晶的步驟中，所述烷基胺為甲苯、己硫醇、二甲苯、正己烷、苯、吡啶中的一種或幾種。

4.根據權利要求1所述的超臨界流體低溫硒化制備CIGS薄膜的方法，其特征在于，在制備涂膜基板的步驟中，所述有機溶液為苯或己硫醇。

5.根據權利要求1所述的超臨界流體低溫硒化制備CIGS薄膜的方法，其特征在于，在制備涂膜基板的步驟中，所述CIGS納米晶與有機溶劑的配比為（0.1～2）g∶（10～100）mL。

6.根據權利要求1所述的超臨界流體低溫硒化制備CIGS薄膜的方法，其特征在于，在制備涂膜基板的步驟中，所述浸漬提拉進行涂膜的速度為0.5～15cm/min。

7.根據權利要求1所述的超臨界流體低溫硒化制備CIGS薄膜的方法，其特征在于，在制備CIGS薄膜的步驟中，所述超臨界流體溶液為甲硒醇、乙硒醇、苯硒醇中的一種或一種以上的混合。

8.根據權利要求1所述的超臨界流體低溫硒化制備CIGS薄膜的方法，其特征在于，在制備CIGS薄膜的步驟中，所述超臨界流體溶液的濃度為1～50mmol/L。

9.根據權利要求1所述的超臨界流體低溫硒化制備CIGS薄膜的方法，其特征在于，在制備CIGS薄膜的步驟中，所述加熱處理的溫度為100～400℃。