[發明專利]一種太陽能電池的背電極Mo薄膜及其制備方法在審
| 申請號: | 201410597967.2 | 申請日: | 2014-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN104393064A | 公開(公告)日: | 2015-03-04 |
| 發明(設計)人: | 徐東;仁昌義 | 申請(專利權)人: | 徐東 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 湯東鳳 |
| 地址: | 236200 安徽省阜陽市潁*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 太陽能電池 電極 mo 薄膜 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明屬于薄膜太陽能電池技術領域,具體涉及一種太陽能電池的背電極Mo薄膜及其制備方法。
背景技術
太陽能電池作為新能源的一種利用形式,其具有永久性,清潔性以及穩定性,從而深得人們的青睞。目前,關于太陽能電池的研究正進行的如火如荼。太陽能電池的主要結構包括襯底,背電極,吸收層,窗口層,電極。縱觀目前的研究發現,眾學者的研究主要集中在吸收層結構及性能的提高上。而對于背電極的研究卻鮮有報道。經過調研,Mo薄膜作為太陽能電池的背電極,其質量對電池的短路電流、填充因子及串聯電阻等影響重大。
在太陽能電池中,影響電池性能的,與背電極Mo薄膜質量相關的因素包括:1、所選襯底的自然性能與缺陷;2、襯底清洗的潔凈程度;3、Mo薄膜和CIGS薄膜界面處MoSe2存在的可能形態;4、Na離子通過Mo薄膜向CIGS層中的擴散;5、Mo薄膜和襯底、Mo薄膜和CIGS薄膜之間的附著性。
從上述結果來看,Mo薄膜的質量對電池的制備以及性能具有十分重要的作用。而在已有的研究過程中發現,濺射在玻璃襯底上的金屬背電極Mo薄膜與襯底的結合力較弱,有的在沉積CIGS薄膜的過程中脫落,有的在緩沖層工序中脫落。因此,研究Mo薄膜與襯底的附著力的提高方法變得尤為重要。這對電池的進展具有至關重要的作用。針對這個問題,已有John?H.Scofield等提出分別在高氣壓和低氣壓下制備雙層Mo薄膜的方法,這很好的解決了Mo薄膜與基體結合力差的問題,莊大明等及黃素梅等提出了使用Cu、Mo合金靶或Cu靶、Mo靶共濺射與基體結合力良好的Cu-Mo合金薄膜作為背電極的方法。方小紅等提出以柔性材料鈦箔或不銹鋼箔為基體時,首先在基體上制備一層金屬Cr,再制備一層金屬Mo電極,以此來提高Mo薄膜附著力的方法。
發明內容
本發明是這樣實現的,一方面,提供了一種簡單、易于操作、可重復性強和可精確控制Mo薄膜的厚度的太陽能電池的背電極Mo薄膜的制備方法,包括下述步驟:
(1)基體的選擇;
(2)基體的清洗:將基體在丙酮、無水乙醇和去離子水中超聲波中清洗,然后用高純氮氣吹干;?
(3)金屬層的制備:
采用直流電源、直流脈沖電源或射頻電源,以單一金屬Al為靶材,電流為0.5A-2A,工作壓強為1Pa-5Pa,在所述基體上制備得到金屬A1的金屬層;或
采用金屬Al與Mo的合金靶濺射得到金屬A1與Mo混合的金屬層;或
采用金屬Al靶與Mo靶共濺射制備得到金屬A1與Mo混合的金屬層。
(4)Mo薄膜的制備:
采用直流電源、直流脈沖電源或射頻電源在所述已鍍有金屬A1的金屬層或金屬A1與Mo混合的金屬層的基體上沉積一層Mo薄膜,其中,Mo靶的靶電流為0.6A-2A,工作壓強為0.05Pa-0.5Pa。
具體地,在步驟(1)中,所述基體為載玻片、鈉鈣玻璃或不銹鋼。
具體地,在步驟(2)中,所述超聲波清洗的時間為5-15min。
具體地,在步驟(3)中,所述金屬層的厚度為8-100nm。
具體地,在步驟(4)中,所述Mo薄膜的厚度為0.5-1.2um。另一方面,提供了一種太陽能電池的背電極Mo薄膜,該太陽能電池的背電極Mo薄膜由上述太陽能電池的背電極Mo薄膜的制備方法制備而成,所述太陽能電池的背電極Mo薄膜包括依次層疊設置的基體、金屬層和Mo薄膜;所述金屬層沉積在所述基體上,所述Mo薄膜沉積在所述金屬層上。
具體地,所述金屬層為單一金屬Al的金屬層或金屬Al與Mo混合的金屬層。
本發明的有益效果是:本發明技術方案中,采用磁控濺射法在基體上制備一金屬層,然后在金屬層上制備Mo薄膜,該制備方法簡單、易于操作、可重復性強和可精確控制Mo薄膜的厚度,同時,該方法制備的Mo薄膜具有膜基結合力高、電導率低的優點。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明的技術方案,下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1是本發明實施例提供的太陽能電池的背電極Mo薄膜的制備方法流程圖。
圖2是本發明實施例提供的太陽能電池的背電極Mo薄膜的結構示意圖。
具體實施方式
下面將結合本發明實施例中的附圖,對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





