[發明專利]用于加工晶片的方法

有效

• 申請號: 201410594844.3
• 申請日: 2014-10-29
• 公開（公告）號: CN104600031B
• 公開（公告）日: 2018-09-21
• 發明（設計）人: H·梅爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 鄭立柱

本發明提供了一種用于加工包括多個芯片的晶片的方法。該方法可包括：在晶片中多個芯片之間形成溝槽；至少在溝槽的側壁之上形成擴散阻擋層；在多個芯片之上和在溝槽中形成封裝材料；以及從與封裝材料相對的側面單個化多個芯片。

技術領域

各種實施例總的涉及用于加工包括多個芯片(chip)的晶片(wafer)的方法。

背景技術

在使包括多個芯片的晶片分開為多個單獨的芯片的常規過程中，該多個單獨的芯片可被形成，從而可提供用于隨后的擴散焊接(diffusion soldering)的背面金屬化(backside-metallization)，可發生銅和硅的二元化合物的形成，其中該化合物可以是硅化銅(例如，一硅化五銅，Cu₅Si)。該金屬間的二元化合物Cu₅Si可在加熱的銅和硅混合物(例如，由于擴散焊接)時形成，其中在常規加工的芯片中，銅經常被包括在背面金屬化之內，而硅經常被包括在芯片材料內。在常規芯片加工中，硅化銅薄膜可被用于銅基芯片的鈍化，其中它可用來抑制擴散和電遷移并且可作為擴散阻擋(diffusion barrier)。舉例說明，硅化銅通常在多個芯片中芯片的加工過的背面金屬化的區域中和/或在這些芯片的芯片邊沿處(也即，在背面金屬化和芯片邊沿的界面處)形成。在這些區域處的硅化銅的形成可導致在這些區域處的芯片材料體積的增加，其轉而可導致材料的分裂(例如，被叫做芯片裂紋(chip crack))。

發明內容

提供了一種用于加工包括多個芯片的晶片的方法。該方法可包括：在晶片中多個芯片之間形成溝槽；至少在溝槽的側壁之上形成擴散阻擋層；在多個芯片之上并且在溝槽中形成封裝材料；以及從與封裝材料相對的側面單個化(singularize)多個芯片。

附圖說明

在附圖中，相似的附圖標記遍及不同的視圖通常指相同的部件。附圖并不一定按比例，重點反而通常被放在說明本發明的原理。在下面的具體實施方式中，本發明的各種實施例參考附圖進行了描述，其中：

圖1示出了一種根據各種實施例的加工晶片的方法；

圖2示出了一種根據各種實施例的芯片布置；

圖3示出了一種根據各種實施例的芯片布置；

圖4示出了一種根據各種實施例的芯片布置；

圖5示出了一種根據各種實施例的芯片布置；

圖6示出了一種根據各種實施例的芯片布置；

圖7示出了一種根據各種實施例的芯片布置；

圖8示出了根據各種實施例的多個芯片；以及

圖9示出了根據各種實施例的多個芯片。

具體實施方式

下面的具體實施方式引用了附圖，附圖以實例說明的方式示出其中本發明可以實施的具體細節和實施例。

詞語“示例性(exemplary)”在本文中被使用意為“作為示例(example)、例證(instance)或者說明(illustration)”。本文中描述為“示例性”的任何實施例或者設計并不一定理解為首選的、或者優于其他實施例或者設計。

有關于在側面或者表面之“上”形成的沉積材料中使用的詞語“上(over)”，在本文中被使用意為沉積材料可“直接在…上(directly on)”形成，例如與所表明的側面或者表面直接接觸。有關于在側面或者表面之“上”形成的沉積材料中使用的詞語“上(over)”，在本文中被使用意為沉積材料可間接在所表明的側面或者表面上(indirectly on)形成，在所表明的側面或者表面和沉積材料之間可布置一個或者多個其他的層。