[發明專利]用于加工晶片的方法

有效

• 申請號: 201410594844.3
• 申請日: 2014-10-29
• 公開（公告）號: CN104600031B
• 公開（公告）日: 2018-09-21
• 發明（設計）人: H·梅爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 鄭立柱

1.一種用于加工包括多個芯片的晶片的方法，其中所述多個芯片的每個芯片包括第一側和與所述第一側相對的第二側，以及其中每個芯片的所述第二側布置在所述晶片上，所述方法包括：

在所述晶片中所述多個芯片之間形成溝槽，其中所述溝槽從與所述芯片的所述第一側相同的一側延伸進入所述晶片；

至少在所述溝槽的側壁之上形成擴散阻擋層；

在所述多個芯片的所述第一側之上和在所述溝槽中形成封裝材料；以及

從與所述封裝材料相對的側面單個化所述多個芯片。

2.如權利要求1所述的方法，進一步包括：

在與所述封裝材料相對的所述側面之上形成金屬化結構。

3.如權利要求1所述的方法，進一步包括：

在所述多個芯片之上形成鈍化層；

其中所述封裝材料在所述鈍化層之上形成。

4.如權利要求1所述的方法，

其中所述溝槽通過從由以下項構成的組中選擇的工藝來形成：

機械鋸切；

激光切割；和

等離子切割。

5.如權利要求1所述的方法，

其中所述擴散阻擋層包括金屬擴散阻擋層。

6.如權利要求1所述的方法，

其中所述擴散阻擋層具有50nm至200nm范圍內的層厚度。

7.如權利要求1所述的方法，

其中，通過減薄所述晶片，所述多個芯片從與所述封裝材料相對的所述側面處被單個化。

8.如權利要求7所述的方法，

其中減薄所述晶片包括磨削所述晶片。

9.如權利要求1所述的方法，

其中通過旋涂，在所述多個芯片之上和在所述溝槽中形成所述封裝材料。

10.如權利要求1所述的方法，進一步包括：

至少從所述溝槽的一部分中移除所述封裝材料。

11.如權利要求10所述的方法，

其中所述封裝材料通過光刻加工被移除。

12.如權利要求11所述的方法，

其中所述光刻加工包括蝕刻。

13.如權利要求12所述的方法，

其中所述蝕刻包括各向異性蝕刻。

14.如權利要求1所述的方法，

其中所述晶片包括硅晶片。

15.如權利要求2所述的方法，

其中所述金屬化結構包括銅。

16.如權利要求1所述的方法，

所述擴散阻擋層包括鈦。

17.一種芯片，其中多個所述芯片的每個芯片包括第一側和與所述第一側相對的第二側，以及其中每個芯片的所述第二側布置在晶片上，所述芯片包括：

芯片襯底；

溝槽，形成在所述晶片中多個所述芯片之間；

擴散阻擋層，至少形成在所述溝槽的側壁之上；

封裝材料，其被布置在第一主側面之上；以及

金屬化結構，其被布置在第二主側面之上，所述第二主側面與所述第一主側面相對。

18.如權利要求17所述的芯片，

其中所述金屬化結構包括銅。

19.如權利要求17所述的芯片，

其中所述芯片包括硅。