[發(fā)明專(zhuān)利]復(fù)合薄片、層疊陶瓷電子部件以及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410594323.8
• 申請(qǐng)日: 2014-10-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104599838B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 久保田好春;堤啟恭
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 株式會(huì)社村田制作所
• 主分類(lèi)號(hào): H01G4/12
• 分類(lèi)號(hào): H01G4/12;H01G4/30
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021
• 代理人: 齊秀鳳

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及在陶瓷生片上印刷導(dǎo)體膜的復(fù)合薄片、和使用該復(fù)合薄片構(gòu)成的層疊陶瓷電子部件以及其制造方法。

背景技術(shù)

過(guò)去，在層疊陶瓷電容器等的層疊陶瓷電子部件的制造時(shí)，在陶瓷生片上印刷內(nèi)部電極。然后，將印刷了內(nèi)部電極的陶瓷生片即復(fù)合薄片層疊。伴隨著層疊陶瓷電子部件的小型化而陶瓷生片和內(nèi)部電極的層疊數(shù)不斷增大。為此，層疊需要長(zhǎng)時(shí)間。若縮短層疊時(shí)間，則層間的密接力會(huì)變低。若層間的密接力變低，在層疊工序中就易于發(fā)生層疊偏離。

在下述的專(zhuān)利文獻(xiàn)1中，公開(kāi)了在內(nèi)部電極端緣部分設(shè)置在厚度方向上突出的鞍部的層疊陶瓷電子部件。按照鞍部彼此在厚度方向上不重合的方式層疊多個(gè)內(nèi)部電極。由此謀求脫層的抑制。

專(zhuān)利文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：WO2011/071143

如專(zhuān)利文獻(xiàn)1記載那樣，在內(nèi)部電極設(shè)置鞍部的結(jié)構(gòu)中，能抑制脫層的發(fā)生且提高內(nèi)部電極端緣部分的內(nèi)部電極和陶瓷生片的密接力。因此，認(rèn)為能抑制上述層疊偏離。

但是，伴隨層疊陶瓷電子部件的進(jìn)一步的小型化，要求進(jìn)一步提高內(nèi)部電極和陶瓷生片的密接力。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種進(jìn)一步提高導(dǎo)體膜與陶瓷生片之間的密接力、能有效果地防止層疊偏離的復(fù)合薄片。本發(fā)明的其它目的在于，提供一種提高了陶瓷層與內(nèi)部電極的密接性的層疊陶瓷電子部件以及其制造方法。

本發(fā)明所涉及的復(fù)合薄片具備：具有長(zhǎng)度方向的陶瓷生片；和印刷在所述陶瓷生片上的導(dǎo)體膜，在所述導(dǎo)體膜，按照構(gòu)成在所述長(zhǎng)度方向上延伸的列的方式，設(shè)有沿長(zhǎng)度方向分散配置且厚度與其余的部分不同的多個(gè)不同厚度區(qū)域。

在本發(fā)明所涉及的復(fù)合薄片的某特定的局面下，在俯視的情況下，所述不同厚度區(qū)域具有點(diǎn)狀的形狀。

在本發(fā)明所涉及的復(fù)合薄片的其它特定的局面下，多個(gè)所述不同厚度區(qū)域被設(shè)置為構(gòu)成多個(gè)所述列。

在本發(fā)明所涉及的復(fù)合薄片的另外的特定的局面下，所述不同厚度區(qū)域是厚度比其余的部分薄的薄壁區(qū)域。

在本發(fā)明所涉及的復(fù)合薄片的其它特定的局面下，所述不同厚度區(qū)域是厚度比其余的部分厚的厚壁區(qū)域。

在本發(fā)明所涉及的復(fù)合薄片的再其它特定的局面下，在所述厚壁區(qū)域內(nèi)，設(shè)有厚度比該厚壁區(qū)域薄的中央薄壁區(qū)域。

本發(fā)明所涉及的層疊陶瓷電子部件具備：陶瓷燒結(jié)體；和在所述陶瓷燒結(jié)體內(nèi)隔著陶瓷層相互重疊地配置的多個(gè)內(nèi)部電極，所述內(nèi)部電極是具有長(zhǎng)邊方向、和與長(zhǎng)邊方向正交的短邊方向的平面形狀，所述內(nèi)部電極具有按照構(gòu)成在所述長(zhǎng)邊方向上延伸的列的方式被分散配置且密度與其余的部分不同的多個(gè)不同密度區(qū)域。

在本發(fā)明所涉及的層疊陶瓷電子部件的某特定的局面下，所述不同密度區(qū)域在俯視的情況下具有點(diǎn)狀的形狀。

在本發(fā)明所涉及的層疊陶瓷電子部件的其它特定的局面下，多個(gè)所述不同密度區(qū)域被設(shè)置為構(gòu)成多個(gè)所述列。

在本發(fā)明所涉及的層疊陶瓷電子部件的再其它特定的局面下，所述不同密度區(qū)域是密度比其余的部分低的低密度區(qū)域。

在本發(fā)明所涉及的層疊陶瓷電子部件的再另外的特定的局面下，所述不同密度區(qū)域是密度比其余的部分高的高密度區(qū)域。

在本發(fā)明所涉及的層疊陶瓷電子部件的其它特定的局面下，在所述高密度區(qū)域內(nèi)，設(shè)有密度比該高密度區(qū)域低的中央低密度區(qū)域。

在本發(fā)明所涉及的層疊陶瓷電子部件的再另外的特定的局面下，提供作為層疊陶瓷電容器的層疊陶瓷電子部件。

本發(fā)明所涉及的層疊陶瓷電子部件的制造方法具備：準(zhǔn)備按照本發(fā)明而構(gòu)成的復(fù)合薄片的工序；層疊多片的所述復(fù)合薄片來(lái)得到層疊體的工序；將所述層疊體切斷為各個(gè)層疊陶瓷電子部件單位的層疊體的工序；燒成各個(gè)層疊陶瓷電子部件單位的層疊體來(lái)得到具有導(dǎo)體膜被燒成而形成的多個(gè)內(nèi)部電極的陶瓷燒結(jié)體的工序。

發(fā)明的效果

在本發(fā)明所涉及的復(fù)合薄片中，由于在導(dǎo)體膜按照構(gòu)成在長(zhǎng)度方向上延伸的列的方式設(shè)有多個(gè)不同厚度區(qū)域，因此在層疊多片的該復(fù)合薄片時(shí)，能有效果地抑制層疊偏離。另外，能有效果地提高導(dǎo)體膜與陶瓷生片的密接性。

因而，通過(guò)使用上述本發(fā)明的復(fù)合薄片來(lái)實(shí)施本發(fā)明的層疊陶瓷電子部件的制造方法，能提供本發(fā)明的層疊陶瓷電子部件。在本發(fā)明的層疊陶瓷電子部件中，有效地提高了內(nèi)部電極與陶瓷的密接性，且不容易發(fā)生層疊偏離。

附圖說(shuō)明

圖1(a)是在本發(fā)明的第1實(shí)施方式準(zhǔn)備的復(fù)合薄片的俯視圖，(b)是導(dǎo)體膜的示意俯視圖，(c)是表示導(dǎo)體膜的主要部分的部分放大截面圖。