[發(fā)明專利]復(fù)合薄片、層疊陶瓷電子部件以及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410594323.8
• 申請日: 2014-10-29
• 公開（公告）號: CN104599838B
• 公開（公告）日: 2018-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 久保田好春;堤啟恭
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01G4/12
• 分類號: H01G4/12;H01G4/30
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021
• 代理人: 齊秀鳳

1.一種復(fù)合薄片，具備：

具有長度方向的陶瓷生片；和

印刷在所述陶瓷生片上的導(dǎo)體膜，

所述導(dǎo)體膜是具有沿著所述長度方向延伸的長邊方向及與所述長邊方向正交的短邊方向的形狀，

在所述導(dǎo)體膜，設(shè)有沿長度方向分散配置為構(gòu)成在所述長度方向上延伸的列且厚度與其余的部分不同的多個不同厚度區(qū)域，

所述不同厚度區(qū)域在所述短邊方向上也分布有多個。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合薄片，其中，

在俯視的情況下，所述不同厚度區(qū)域具有點(diǎn)狀的形狀。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的復(fù)合薄片，其中，

多個所述不同厚度區(qū)域被設(shè)置為構(gòu)成多個所述列。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的復(fù)合薄片，其中，

所述不同厚度區(qū)域是厚度比其余的部分薄的薄壁區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的復(fù)合薄片，其中，

所述不同厚度區(qū)域是厚度比其余的部分厚的厚壁區(qū)域。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的復(fù)合薄片，其中，

在所述厚壁區(qū)域內(nèi)，設(shè)有厚度比該厚壁區(qū)域薄的中央薄壁區(qū)域。

7.一種層疊陶瓷電子部件，具備：

陶瓷燒結(jié)體；和

在所述陶瓷燒結(jié)體內(nèi)隔著陶瓷層相互重疊地配置的多個內(nèi)部電極，

所述內(nèi)部電極是具有長邊方向、和與長邊方向正交的短邊方向的平面形狀，

所述內(nèi)部電極具有：被分散配置為構(gòu)成在所述長邊方向上延伸的列且密度與其余的部分不同的多個不同密度區(qū)域，

所述不同密度區(qū)域在所述短邊方向上也分布有多個。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的層疊陶瓷電子部件，其中，

所述不同密度區(qū)域在俯視的情況下具有點(diǎn)狀的形狀。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的層疊陶瓷電子部件，其中，

多個所述不同密度區(qū)域被設(shè)置為構(gòu)成多個所述列。

10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的層疊陶瓷電子部件，其中，

所述不同密度區(qū)域是密度比其余的部分低的低密度區(qū)域。

11.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的層疊陶瓷電子部件，其中，

所述不同密度區(qū)域是密度比其余的部分高的高密度區(qū)域。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的層疊陶瓷電子部件，其中，

在所述高密度區(qū)域內(nèi)，設(shè)有密度比該高密度區(qū)域低的中央低密度區(qū)域。

13.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的層疊陶瓷電子部件，其中，

所述層疊陶瓷電子部件是層疊陶瓷電容器。

14.一種層疊陶瓷電子部件的制造方法，具備：

準(zhǔn)備權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的復(fù)合薄片的工序；

層疊多片的所述復(fù)合薄片而得到層疊體的工序；

將所述層疊體切斷為各個層疊陶瓷電子部件單位的層疊體的工序；和

燒成各個層疊陶瓷電子部件單位的層疊體來得到具有導(dǎo)體膜被燒成而形成的多個內(nèi)部電極的陶瓷燒結(jié)體的工序。